存儲大廠(chǎng)：CXL內存將于下半年爆發(fā)？

據《ZDNet Korea》報道，三星電子存儲部門(mén)新業(yè)務(wù)規劃團隊董事總經(jīng)理Choi Jang-seok近日表示，即將推出的內存模塊被指定為CMM-D2.0，將符合CXL2.0協(xié)議。這些模塊將利用使用第二代20-10nm工藝技術(shù)生產(chǎn)的DRAM內存顆粒。

除了CMM-D模塊，三星還在開(kāi)發(fā)一系列CXL存儲產(chǎn)品。其中包括集成多個(gè)CMM-D模塊的CMM-B內存盒模塊，以及將DRAM內存與NAND閃存顆粒相結合的CMM-H混合存儲模塊。

Choi Jang-seok強調，隨著(zhù)CXL3.1技術(shù)的采用，CXL內存資源可以在多個(gè)主機之間共享，預計CXL市場(chǎng)將在今年下半年蓬勃發(fā)展，在2028年左右實(shí)現顯著(zhù)增長(cháng)。

崔章錫還透露，三星正在內部研究一款名為CMM-DC的新產(chǎn)品。這款產(chǎn)品將以CMM-D模塊為基礎，提供計算能力。

此外，三星即將推出的CMM-D2.0內存模塊遵循CXL2.0協(xié)議，該協(xié)議是增強數據中心互連性和效率的標準。這些模塊采用1ynm工藝DRAM顆粒，代表20-10nm級別的第二代DRAM技術(shù)。該技術(shù)能夠生產(chǎn)提供更高容量同時(shí)保持性能效率的內存模塊。

報道指出，CMM-DC產(chǎn)品的內部研究表明了未來(lái)的發(fā)展方向，三星的目標是將計算能力與CXL內存模塊相結合。內存和計算功能的融合可以為更高效、更強大的數據處理架構鋪平道路。

據業(yè)界信息，CXL全稱(chēng)ComputeExpressLink，是一個(gè)全新的得到業(yè)界認同的互聯(lián)技術(shù)標準，其可以有效解決內存墻和IO墻的瓶頸。PCI-e技術(shù)是CXL技術(shù)的底層基礎，CXL則可視為PCI-e技術(shù)的再提高版本，并且，CXL延伸了更多變革性的功能。

目前，CXL已經(jīng)發(fā)表了1.0/1.1、2.0、3.0/3.1五個(gè)不同的版本，CXL2.0內存的池化（Pooling）功能較好的實(shí)現了以?xún)却鏋橹行牡臉嬒?；CXL3.0則實(shí)現Memorysharing（內存共享）和內存訪(fǎng)問(wèn)，在硬件上實(shí)現了多機共同訪(fǎng)問(wèn)同樣內存地址的能力；CXL3.1，則具備開(kāi)啟更多對等通信通道的能力，實(shí)現了對內存和存儲的獨立分離，形成獨立的模塊，并且新規范將支持目前仍在研發(fā)中的DDR6內存。

2021年5月，三星開(kāi)發(fā)出全球首款基于CXL的DRAM技術(shù)；2022年推出業(yè)界首款高容量512GB CXL DRAM；2023年5月開(kāi)發(fā)出支持CXL 2.0的128GB CXL DRAM；2024年第二季度推出支持CXL 2.0的256GB CMM-D產(chǎn)品，并正在與主要客戶(hù)進(jìn)行驗證。

目前，除了三星，其他兩位大廠(chǎng)也在布局該技術(shù)。美光在2023年8月推出了其 CXL 2.0 內存模塊；SK海力士在2023年10月展示了其CXL產(chǎn)品，包括基于CXL的計算內存解決方案 (CMS) 2.0，使用近內存處理 (NMP) 架構來(lái)解決 CPU 內存瓶頸問(wèn)題并提高處理性能。