全球代工為什么爭相擴充8英寸產(chǎn)能

　　兩則消息引起業(yè)界興趣。一則是無(wú)錫海力士—意法半導體(Hynix—ST Semiconductor)于07年9月6日宣布，與中國華潤(集團)有限公司就出售200mm晶圓的生產(chǎn)線(xiàn)“C1-FAB”簽訂了正式協(xié)議。 韓國海力士半導體為競爭力已達到極限的200mm晶圓生產(chǎn)線(xiàn)采取各種處理方案。盡管華潤與海力士均未透露具體交易金額。不過(guò)，從一位業(yè)內人士處得知，華潤為該生產(chǎn)線(xiàn)付出了3.8億美元。

　　另一則消息是全球代工廠(chǎng)中，臺積電，中芯國際，特許及世界先進(jìn)皆積極擴充8英寸產(chǎn)能。其中臺積電購買(mǎi)Atmel的8英寸舊設備，用于擴充松江廠(chǎng)；中芯國際更是一馬當先，一方面在成都布局“成芯”8英寸舊線(xiàn)，目前已進(jìn)入量產(chǎn)水平。另一方面又宣布近期將于深圳再建8英寸生產(chǎn)線(xiàn)；臺積電投資的世界先進(jìn)購并華邦的8英寸舊線(xiàn)以及近期特許以2.33億美元買(mǎi)下日立于新加坡的8英寸舊線(xiàn)，月產(chǎn)能達2.4萬(wàn)片等。
　
圖1 半導體各個(gè)領(lǐng)域的制造工藝收縮不可逆轉

　　正當全球12英寸節節向上，呈主流狀態(tài)時(shí)，全球代工卻一反常態(tài)，爭相擴充8英寸產(chǎn)能。其實(shí)以上兩則消息并無(wú)矛盾。表明在存儲器領(lǐng)域中8英寸的局限性逐漸顯露，紛紛退出而轉向12英寸。而在全球代工中，由于0.13至0.35微米段的市場(chǎng)需求旺盛，而相對90及65納米段的訂單弱，再次選擇8英寸舊線(xiàn)，從經(jīng)濟上也合乎情理。因此不同事物有不同策略在市場(chǎng)經(jīng)濟中是正常的選擇。

市場(chǎng)競爭的新格局

　　從06年開(kāi)始全球半導體業(yè)中存儲器的地位再次引起業(yè)界極大的關(guān)注。由于存儲器的特征，競爭實(shí)力主要依靠采用更小的尺寸及規模取勝。在DRAM中07年時(shí)主流的先進(jìn)制程為70納米。

　　全球DRAM廠(chǎng)花大量的投資于70納米制程，卻因DRAM價(jià)格下跌遠快于DRAM制程技術(shù)所產(chǎn)生成本下跌速度，使70納米制程成為DRAM產(chǎn)業(yè)有史以來(lái)最短命技術(shù)。通常一個(gè)制程技術(shù)大多使用2年，有的3年，此次70納米制程技術(shù)僅使用1年，恐是DRAM產(chǎn)業(yè)有史以來(lái)最不劃算的投資。其中臺灣力晶07年第二季開(kāi)始導入70納米制程，將在08年的第二季投入下一代65納米制程技術(shù)。三星于07年Q2(第二季)導入68納米制程，而08年將轉入58納米制程；海力士07年時(shí)采用66納米制程，至08年Q2時(shí)將導入54納米制程。

　　而在NAND中會(huì )采用比DRAM更先進(jìn)的制程。預計08年全球NAND將有60%的