X-FAB增強其180納米車(chē)規級高壓CMOS代工解決方案

全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠(chǎng)X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，更新其XP018高壓CMOS半導體制造平臺，增加全新40V和60V高壓基礎器件——這些器件具有可擴展SOA，提高運行穩健性。與上一代平臺相比，此次更新的第二代高壓基礎器件的RDSon阻值降低高達50%，為某些關(guān)鍵應用提供更好的選擇——特別適合應用在需要縮小器件尺寸并降低單位成本的系統中。

XP018平臺作為一款模塊化180納米高壓EPI技術(shù)解決方案，基于低掩模數5V單柵極核心模塊，支持-40°C至175°C的寬溫度范圍，并提供一系列可選的器件和模塊——包括高增益雙極器件、標準和高電容密度MIM電容器、多閾值（Vt）選項、肖特基二極管和耗盡型器件。

該平臺搭載高可靠性汽車(chē)NVM解決方案，如嵌入式閃存（Eflash）、EEPROM和OTP，專(zhuān)為成本敏感型和穩健型汽車(chē)、工業(yè)及醫療應用而設計。

除了新推出的40V/60V器件外，該平臺還加入了5.3V齊納二極管，進(jìn)一步提升其性能。此款全新低漏電流的齊納二極管專(zhuān)為關(guān)鍵應用中的柵氧提供有效保護，如寬帶隙柵極驅動(dòng)器應用等。此外，其還提供一系列最高電壓高達24V的新型隔離漏極高壓器件和中閾值電壓選項的1.8V MOS器件。

X-FAB高壓產(chǎn)品線(xiàn)經(jīng)理Tilman Metzger表示：“我們XP018平臺的此次升級，展現X-FAB致力于加強成熟技術(shù)方面的決心。XP018平臺已投產(chǎn)超過(guò)十年，并且仍然在汽車(chē)、工業(yè)和醫療等我們重點(diǎn)關(guān)注細分市場(chǎng)領(lǐng)域的新設計中得到廣泛應用。這些極具競爭力的高壓器件及其更新將使我們的客戶(hù)能夠打造更具創(chuàng )新性和成本效益的產(chǎn)品。采用全新XP018基礎器件的設計人員可以獲得Cadence、Siemens EDA、Synopsys等各主要EDA平臺全面的PDK支持，確保在各類(lèi)應用中實(shí)現無(wú)縫集成與優(yōu)化?！?/p>

全新中閾值標準單元庫預計將于2024年第三季度發(fā)布。

縮略語(yǔ)：

CMOS   互補金屬氧化物半導體

DMOS   雙擴散金屬氧化物半導體

PDK   工藝設計套件

RDSon   導通電阻

SOA   安全工作區

SOI   絕緣體上硅