集成電路產(chǎn)業(yè)“十一五”專(zhuān)項規劃

　　集成電路作為信息產(chǎn)業(yè)的基礎和核心，是國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展的戰略性產(chǎn)業(yè)，在推動(dòng)經(jīng)濟發(fā)展、社會(huì )進(jìn)步、提高人民生活水平以及保障國家安全等方面發(fā)揮著(zhù)重要作用，已成為當前國際競爭的焦點(diǎn)和衡量一個(gè)國家或地區現代化程度以及綜合國力的重要標志。

　　“十一五”期間，大力發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)，盡快建立一個(gè)自主創(chuàng )新能力不斷提高、產(chǎn)業(yè)規模不斷擴大的產(chǎn)業(yè)體系，對于保障信息安全、經(jīng)濟安全，增強國防實(shí)力，以及推動(dòng)社會(huì )進(jìn)步，提高人民生活水平，具有極其重要的戰略意義和現實(shí)意義。

　　按照《國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十一個(gè)五年規劃綱要》中“大力發(fā)展集成電路、軟件和新型元器件等核心產(chǎn)業(yè)”以及《信息產(chǎn)業(yè)“十一五”規劃》中“完善集成電路產(chǎn)業(yè)鏈”的總體要求，在深入研究、廣泛調研的基礎上，突出集成電路行業(yè)的特點(diǎn)，編制集成電路專(zhuān)項規劃，作為集成電路行業(yè)發(fā)展的指導性文件和加強行業(yè)管理的依據。

　　“十五”回顧

　　產(chǎn)業(yè)和市場(chǎng)規模迅速擴大。自從18號文件頒布以來(lái)，我國集成電路產(chǎn)業(yè)進(jìn)入發(fā)展最快的歷史階段。2005年集成電路產(chǎn)量達到266億塊，銷(xiāo)售收入由2000年的186億元提高到2005年的702億元，年均增長(cháng)30.4%，占世界集成電路產(chǎn)業(yè)中的份額由1.2%提高到4.5%。市場(chǎng)規模迅速擴大，2005年我國集成電路市場(chǎng)規模較2000年翻了兩番，達到3800億元，占全球比重達25%，成為全球僅次于美國的第二大集成電路市場(chǎng)。

　　部分關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域取得突破。32位CPU芯片、網(wǎng)絡(luò )路由交換芯片、GSM/GPRS手機基帶芯片、TD-SCDMA基帶芯片、數字音視頻和多媒體處理芯片、第二代居民身份證芯片等一批中高端產(chǎn)品相繼研發(fā)成功并投入市場(chǎng)，產(chǎn)品設計能力達到0.18微米，集成度超過(guò)千萬(wàn)門(mén);集成電路芯片生產(chǎn)線(xiàn)工藝水平達到12英寸0.13微米，90納米工藝技術(shù)研發(fā)取得進(jìn)展，與國外先進(jìn)水平之間的差距明顯縮小;分辨率193nmArF準分子激光步進(jìn)掃描投影光刻機、100nm大角度離子注入機、100nm高密度離子刻蝕機等重大技術(shù)裝備取得重要突破。

　　產(chǎn)業(yè)結構日趨合理。我國集成電路產(chǎn)業(yè)已初步形成了設計、芯片制造和封裝測試三業(yè)并舉、較為協(xié)調的發(fā)展格局。經(jīng)過(guò)“十五”的發(fā)展，設計業(yè)和芯片制造業(yè)在產(chǎn)業(yè)中的比重顯著(zhù)提高，由2000年的31%提高到2005年的50.9%，封裝與測試比重由同期的69%下降到49.1%，較為合理的產(chǎn)業(yè)結構初步形成。

　　骨干企業(yè)成長(cháng)迅速。2005年銷(xiāo)售額過(guò)億元的集成電路設計公司已近20家，一批集成電路設計公司成功上市。上海華虹NEC電子有限公司、中芯國際集成電路制造有限公司等企業(yè)的工藝技術(shù)水平大幅提高，國際競爭力顯著(zhù)增強，成為全球第七位和第三位芯片加工企業(yè)。2005年銷(xiāo)售額過(guò)10億元的封裝測試企業(yè)超過(guò)10家，江陰長(cháng)電科技股份有限公司、南通富士通微電子股份有限公司、天水華天科技股份有限公司等封裝測試企業(yè)產(chǎn)能不斷擴大，技術(shù)水平不斷提升。

　　產(chǎn)業(yè)集群效應凸顯。集成電路產(chǎn)業(yè)集聚效應明顯，2005年長(cháng)江三角洲、京津地區集成電路銷(xiāo)售額之和達到644.17億元，占同年全國總銷(xiāo)售額的91.7%。國家(上海)集成電路產(chǎn)業(yè)園、國家(蘇州)集成電路產(chǎn)業(yè)園等5個(gè)國家級集成電路產(chǎn)業(yè)園區集聚和輻射帶動(dòng)作用日益顯現。

　　產(chǎn)業(yè)環(huán)境逐步改善?！豆膭钴浖a(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干政策》(國發(fā)[2000]18號)的頒布實(shí)施，集成電路專(zhuān)項研發(fā)資金的設立，知識產(chǎn)權保護力度不斷加強，為我國集成電路產(chǎn)業(yè)提供了良好的政策環(huán)境，極大地調動(dòng)了國內外各方面投資集成電路產(chǎn)業(yè)的積極性，5年來(lái)吸引外資累計約160億美元。

　　盡管“十五”期間成績(jì)顯著(zhù)，但是集成電路產(chǎn)業(yè)仍存在諸多問(wèn)題。產(chǎn)業(yè)政策尚未完全落實(shí)到位，投融資環(huán)境還有待進(jìn)一步改善;自主創(chuàng )新能力薄弱，缺乏核心技術(shù)和自主品牌;產(chǎn)業(yè)研發(fā)投入嚴重不足，總體技術(shù)水平與國外有很大差距;制造技術(shù)以代工為主，缺乏自主品牌;產(chǎn)業(yè)規模小，與國內市場(chǎng)規模差距較大;產(chǎn)品結構滯后于市場(chǎng)需求，進(jìn)出口貿易逆差不斷擴大;集成電路專(zhuān)用材料及設備自給率低，集成電路產(chǎn)業(yè)鏈并未完善;集成電路高級專(zhuān)業(yè)人才缺乏。

　　“十一五”面臨的形勢

　　(一)集成電路技術(shù)發(fā)展趨勢

　　市場(chǎng)和技術(shù)雙重驅動(dòng)創(chuàng )新。第三代移動(dòng)通信、數字電視、下一代互聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域重大技術(shù)和市場(chǎng)的快速發(fā)展，“三網(wǎng)融合”的不斷推進(jìn)，驅動(dòng)集成電路產(chǎn)業(yè)的技術(shù)創(chuàng )新和產(chǎn)品創(chuàng )新。多技術(shù)、多應用的融合將催生新的集成電路產(chǎn)品出現，納米技術(shù)的發(fā)展、新體系架構等新技術(shù)發(fā)明也在孕育著(zhù)新的突破。

　　集成電路設計新技術(shù)不斷涌現。隨著(zhù)90納米及以下微細加工技術(shù)和SoC設計技術(shù)的發(fā)展，軟硬件協(xié)同設計，高速、高頻、低功耗設計，IP復用、芯片綜合/時(shí)序分析、可測性/可調試性設計，總線(xiàn)架構、可靠性設計等技術(shù)將得到更快的發(fā)展和更廣泛的應用。

　　65納米～45納米工藝將實(shí)現產(chǎn)業(yè)化?！笆晃濉逼陂g，12英寸、65納米～45納米微細加工工藝將實(shí)現工業(yè)化大生產(chǎn)，銅互聯(lián)工藝、高K、低K介質(zhì)材料等將大規模采用;新型柵層材料、下一代光刻技術(shù)、光學(xué)和后光學(xué)掩模版、新型可制造互連結構和材料、光刻膠等工藝、材料將成為技術(shù)研發(fā)的重點(diǎn);SOI、SiGe等材料顯示出了良好的應用前景。

　　適應更高要求的新型封裝及測試技術(shù)成為主流。集成電路封裝正向高密度、高頻、大功率、高可靠性、低成本的方向發(fā)展。球柵陣列封裝(BGA)、芯片倒裝焊(Flipchip)、堆疊多芯片技術(shù)、系統級封裝(SiP)、芯片級封裝(CSP)、多芯片組件(MCM)等封裝類(lèi)型將是“十一五”期間的主流封裝形式。隨著(zhù)芯片性能的提高和規模的擴大，測試復雜度不斷提高，自動(dòng)測試技術(shù)和測試設備將快速發(fā)展，高速器件接口、可靠性篩選方法、高效率和低成本的測試技術(shù)等將成為測試的發(fā)展重點(diǎn)。

　　(二)集成電路市場(chǎng)分析

　　從上世紀70年代以來(lái)，世界集成電路市場(chǎng)雖有波動(dòng)，但仍保持了年均約15%的增長(cháng)率。經(jīng)歷了2001年的衰退后，世界集成電路市場(chǎng)銷(xiāo)售額逐年增長(cháng)，2005年實(shí)現銷(xiāo)售額1928億美元，達到歷史最高水平。預計“十一五”期間，集成電路整體市場(chǎng)將保持平穩增長(cháng)，波動(dòng)幅度將趨緩，到2010年世界集成電路市場(chǎng)規模約為3000億美元，平均增長(cháng)率約14%。微處理器與微控制器、邏輯電路和存儲器等三大類(lèi)通用集成電路仍將占據主要市場(chǎng)，專(zhuān)用集成電路市場(chǎng)將較快增長(cháng)。

　　未來(lái)5年，我國集成電路市場(chǎng)將進(jìn)一步擴大，預計年均增長(cháng)速度約為20%，到2010年，我國集成電路市場(chǎng)規模將突破8300億元(2006～2010年我國集成電路市場(chǎng)需求預測見(jiàn)下表)，采用0.18微米及以下技術(shù)的產(chǎn)品將逐步成為市場(chǎng)的主流產(chǎn)品，產(chǎn)品技術(shù)水平多代共存將是我國集成電路市場(chǎng)的特點(diǎn)。

　　信息技術(shù)的快速發(fā)展，新應用領(lǐng)域的出現如移動(dòng)通信、數字音視頻產(chǎn)品、智能家庭網(wǎng)絡(luò )、下一代互聯(lián)網(wǎng)、信息安全產(chǎn)品、3C融合產(chǎn)品、智能卡和電子標簽、汽車(chē)電子等的需求將形成集成電路新的經(jīng)濟增長(cháng)點(diǎn)。

　　“十一五”期間我國集成電路進(jìn)口額年均增長(cháng)率將在15%以上，貿易逆差局面難以得到改變。

　　(三)集成電路產(chǎn)業(yè)面臨的環(huán)境

　　國內產(chǎn)業(yè)政策環(huán)境將不斷改善。中央、地方各級政府和有關(guān)部門(mén)高度重視集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，《進(jìn)一步鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)與集成電路產(chǎn)

　　業(yè)發(fā)展的若干政策》等政策的出臺，將為集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供更加有利的政策環(huán)境。

　　投資強度和技術(shù)門(mén)檻越來(lái)越高。1條12英寸集成電路前工序生產(chǎn)線(xiàn)投資規模超過(guò)15億美元，產(chǎn)品設計開(kāi)發(fā)成本上升到幾百萬(wàn)美元乃至上千萬(wàn)美元。企業(yè)的資金實(shí)力和技術(shù)創(chuàng )新能力成為競爭的關(guān)鍵。

　　國外高端技術(shù)轉移限制仍將繼續。作為戰略性產(chǎn)業(yè)，全球主要發(fā)達國家越來(lái)越重視集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，為保持其領(lǐng)先地位，仍將控制關(guān)鍵技術(shù)裝備、材料、高端設計和工藝技術(shù)向發(fā)展中國家轉移，國內產(chǎn)業(yè)面臨的技術(shù)挑戰仍將長(cháng)期存在。

　　知識產(chǎn)權和專(zhuān)利等摩擦將加劇。隨著(zhù)全球化競爭的不斷深入，跨國公司利用其在技術(shù)、市場(chǎng)和資金的主導地位，更多地采用知識產(chǎn)權等技術(shù)手段開(kāi)展競爭，國內企業(yè)發(fā)展面臨各方面的壓力。

　　“十一五”發(fā)展思路與目標

　　(一)發(fā)展思路

　　繼續落實(shí)和完善產(chǎn)業(yè)政策，著(zhù)力提高自主創(chuàng )新能力，推進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節協(xié)調發(fā)展。以應用為先導、優(yōu)先發(fā)展集成電路設計業(yè);積極發(fā)展集成器件制造(IDM)模式，鼓勵新一代芯片生產(chǎn)線(xiàn)建設，推動(dòng)現有生產(chǎn)線(xiàn)的技術(shù)升級;提升高密度封裝測試能力;增強關(guān)鍵設備儀器和基礎材料的開(kāi)發(fā)能力。形成以設計業(yè)為龍頭、制造業(yè)為核心、設備制造和配套產(chǎn)業(yè)為基礎，較為完整的集成電路產(chǎn)業(yè)鏈。

　　設計業(yè)：鼓勵設計業(yè)與整機之間的合作，加快涉及國家安全和量大面廣集成電路產(chǎn)品的設計開(kāi)發(fā)，培育一批具有較強自主創(chuàng )新能力的骨干企業(yè)，開(kāi)發(fā)具有自主知識產(chǎn)權的集成電路產(chǎn)品。

　　制造業(yè)：鼓勵現有生產(chǎn)線(xiàn)的技術(shù)升級和改造，形成90納米工藝技術(shù)的加工能力;積極發(fā)展集成器件制造(IDM)模式，鼓勵新一代芯片生產(chǎn)線(xiàn)建設;引導產(chǎn)業(yè)向有基礎、有條件的地區集聚，形成規模效應。

　　封裝測試業(yè)：加快封裝測試業(yè)的技術(shù)升級。積極調整產(chǎn)品、產(chǎn)業(yè)結構，重點(diǎn)發(fā)展SIP、Flipchip、BGA、CSP、MCM等先進(jìn)封裝技術(shù)，提高測試水平和能力。

　　材料、設備等支撐業(yè)：以部分關(guān)鍵設備、材料為突破口，重視基礎技術(shù)研究，加快產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，提高支撐能力。

　　(二)發(fā)展目標

　　1.主要經(jīng)濟指標

　　到2010年，我國集成電路產(chǎn)業(yè)產(chǎn)量達到800億塊，實(shí)現銷(xiāo)售收入約3000億元，年均增長(cháng)率達到30%，約占世界集成電路市場(chǎng)份額的10%，滿(mǎn)足國內30%的市場(chǎng)需求。

　　2.結構調整目標

　　到2010年，集成電路產(chǎn)業(yè)結構進(jìn)一步得到優(yōu)化，芯片設計業(yè)在行業(yè)中的比重提高到23%，芯片制造業(yè)、封裝與測試業(yè)比重分別為29%和48%，形成基本合理的產(chǎn)業(yè)結構。

　　3.技術(shù)創(chuàng )新目標

　　到2010年，芯片設計能力大幅提升，開(kāi)發(fā)一批具有自主知識產(chǎn)權的核心芯片，主流設計水平達到0.13μm～90nm;國內重點(diǎn)整機應用自主開(kāi)發(fā)集成電路產(chǎn)品的比例達到30%左右。芯片制造業(yè)的大生產(chǎn)技術(shù)達到12英寸、90nm-65nm;封裝測試業(yè)進(jìn)入國際主流領(lǐng)域，實(shí)現系統封裝(SiP)、芯片倒裝焊(Flipchip)、球柵陣列封裝(BGA)、芯片級封裝(CSP)、多芯片組件(MCM)等新型封裝形式的規模生產(chǎn)能力。12英寸部分關(guān)鍵技術(shù)裝備、材料取得突破并進(jìn)入生產(chǎn)線(xiàn)應用。

　　重點(diǎn)任務(wù)

　　(一)加快集成電路共性技術(shù)研發(fā)和公共服務(wù)平臺建設

　　面向產(chǎn)業(yè)需求，建立企業(yè)化運作、面向行業(yè)的、產(chǎn)學(xué)研用相結合的國家集成電路研發(fā)中心，重點(diǎn)開(kāi)發(fā)SoC等產(chǎn)品設計、納米級工藝制造、先進(jìn)封裝與測試等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節的共性關(guān)鍵技術(shù)，為實(shí)現產(chǎn)業(yè)可持續發(fā)展提供技術(shù)來(lái)源和技術(shù)支持。

　　支持集成電路公共服務(wù)平臺的建設，為企業(yè)提供產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和測試環(huán)境，在EDA設計工具、知識產(chǎn)權保護、產(chǎn)品評測等方面提供公共服務(wù)，促進(jìn)中小企業(yè)的發(fā)展。

　　(二)重點(diǎn)支持量大面廣產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化

　　面向高清晰度數字電視、移動(dòng)通信、計算機及網(wǎng)絡(luò )、信息安全產(chǎn)品、智能卡及電子標簽產(chǎn)品、汽車(chē)電子等市場(chǎng)需求大的整機市場(chǎng)，引導芯片設計與整機結合，加大重點(diǎn)領(lǐng)域專(zhuān)用集成電路(ASIC)的開(kāi)發(fā)力度，重點(diǎn)開(kāi)發(fā)數字音視頻相關(guān)信源、信道芯片、圖像處理芯片，移動(dòng)通信終端基帶芯片、高端通信處理芯片、信息安全芯片等量大面廣的產(chǎn)品，形成一批擁有核心技術(shù)的企業(yè)和具有自主知識產(chǎn)權的產(chǎn)品。

　　(三)增強芯片制造和封裝測試能力

　　提高產(chǎn)業(yè)控制力，支持“909”工程升級改造;繼續堅持對外開(kāi)放，積極利用外資，鼓勵集成器件制造(IDM)模式的集成電路企業(yè)發(fā)展，促進(jìn)設計業(yè)、制造業(yè)的協(xié)調互動(dòng)發(fā)展;重點(diǎn)發(fā)展12英寸集成電路生產(chǎn)線(xiàn)，建設5條以上12英寸、90納米的芯片生產(chǎn)線(xiàn);建設10條8英寸0.13微米～0.11微米芯片生產(chǎn)線(xiàn)，提高6英寸～8英寸生產(chǎn)線(xiàn)的資源利用水平;加強標準工藝模塊開(kāi)發(fā)和IP核的開(kāi)發(fā)，不斷滿(mǎn)足國內芯片加工需求。積極采用新封裝測試技術(shù)，重點(diǎn)發(fā)展BGA、PGA、CSP、MCM、SIP等先進(jìn)封裝技術(shù)，擴大產(chǎn)業(yè)規模，提高測試技術(shù)和水平。

　　(四)突破部分專(zhuān)用設備儀器和材料

　　掌握6英寸～8英寸集成電路設備的制備工藝技術(shù)，重點(diǎn)發(fā)展8英寸～12英寸集成電路生產(chǎn)設備，包括光刻機、刻蝕機、離子注入機、平坦化設備、摻雜設備、快速熱處理設備，劃片機、鍵合機、硅片減薄機、集成電路自動(dòng)封裝系統等設備，具備為6英寸～8英寸生產(chǎn)設備進(jìn)行維護和翻新能力;力爭實(shí)現100nm分辨率193nmArF準分子激光步進(jìn)掃描投影光刻機、高密度等離子體多晶硅刻蝕機、大角度傾斜大劑量離子注入機等重大關(guān)鍵裝備產(chǎn)業(yè)化;重點(diǎn)開(kāi)發(fā)12英寸硅拋光片和8英寸、12英寸硅外延片，鍺硅外延片，SOI材料，寬禁帶化合物半導體材料、光刻膠、化學(xué)試劑，特種氣體、引線(xiàn)框架等材料，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供有力支撐。

　　(五)推進(jìn)重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)園區建設

　　發(fā)揮國家、地方政府和各產(chǎn)業(yè)園區的積極性，重點(diǎn)建設北京、天津、上海、蘇州、寧波等國家集成電路產(chǎn)業(yè)園，不斷優(yōu)化發(fā)展環(huán)境、完善配套服務(wù)設施，引導集成電路企業(yè)落戶(hù)園區，以園區內骨干企業(yè)為龍頭，加強產(chǎn)業(yè)鏈建設，帶動(dòng)相關(guān)企業(yè)的發(fā)展，提高園區競爭實(shí)力。

　　政策措施

　　(一)加快制定法規與政策，進(jìn)一步營(yíng)造良好的產(chǎn)業(yè)環(huán)境

　　積極推進(jìn)《軟件與集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展促進(jìn)條例》的編制，加快推出《關(guān)于進(jìn)一步鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)的若干政策》，加大知識產(chǎn)權保護力度，促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展。

　　(二)進(jìn)一步加大投入力度

　　加大政府投入，形成集成電路專(zhuān)項研發(fā)資金穩定增長(cháng)機制。研究設立“國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金”，鼓勵集成電路企業(yè)技術(shù)創(chuàng )新和新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，促進(jìn)行業(yè)技術(shù)進(jìn)步;組織實(shí)施集成電路重大工程和國家科技重大專(zhuān)項，研發(fā)集成電路關(guān)鍵技術(shù)和產(chǎn)品;鼓勵國家政策性金融機構重點(diǎn)支持重點(diǎn)集成電路技術(shù)改造、技術(shù)創(chuàng )新和產(chǎn)業(yè)化項目;支持集成電路企業(yè)在境內外上市融資;鼓勵境內外各類(lèi)經(jīng)濟組織和個(gè)人投資集成電路產(chǎn)業(yè)。

　　(三)繼續擴大對外開(kāi)放，提高利用外資質(zhì)量

　　堅持對外開(kāi)放，繼續優(yōu)化環(huán)境，大力吸引國(境)外資金、技術(shù)和人才。重點(diǎn)吸引有實(shí)力的跨國公司在國內建設高水平的研發(fā)中心、生產(chǎn)中心和運營(yíng)中心，不斷提高國內集成電路產(chǎn)業(yè)企業(yè)管理、市場(chǎng)開(kāi)拓、人才培養能力。積極提高資源利用效率，完善外商投資項目核準辦法，適時(shí)調整《外商投資產(chǎn)業(yè)指導目錄》，優(yōu)化產(chǎn)業(yè)布局，減少低水平盲目重復建設。

　　(四)加強人才培養，積極引進(jìn)海外人才

　　建立、健全集成電路人才培訓體系，加快建設和發(fā)展微電子學(xué)院和微電子職業(yè)培訓機構，形成多層次的人才梯隊，重點(diǎn)培養國際化的、高層次、復合型集成電路人才;加大國際化人才引進(jìn)工作力度，大力引進(jìn)國外優(yōu)秀集成電路人才;引入競爭激勵機制，制定激發(fā)人才創(chuàng )造才能的獎勵政策和分配機制，創(chuàng )造有利于集成電路人才發(fā)展的寬松環(huán)境。