南韓加速研發(fā)新興存儲器與材料，穩固龍頭地位　

　　南韓為穩固全球記憶體龍頭地位，在產(chǎn)業(yè)通商資源部(Ministry of Trade, Industry and Energy;MOTIE)主導下，不僅采取以三星電子(Samsung Electronics)等大企業(yè)為投資要角的產(chǎn)官學(xué)新合作研發(fā)模式，亦將次世代非揮發(fā)性記憶體與新興材料、技術(shù)列為研發(fā)重點(diǎn)。

　　2013~2017年南韓將引進(jìn)由政府與企業(yè)共同提供資金給學(xué)術(shù)機構研發(fā)的新合作模式，研發(fā)成果的智財權將由學(xué)術(shù)機構擁有，此將有利提高往后提供南韓中小型企業(yè)運用的可能性。

　　觀(guān)察2013~2017年南韓列為研發(fā)重點(diǎn)的5項記憶體相關(guān)技術(shù)，包括相變化記憶體(Phase-change Random Access Memory;PRAM)等新興非揮發(fā)性記憶體，及有助提升記憶體運算效能的銅/石墨烯積層構造技術(shù)、三五族通道材料、穿隧式場(chǎng)效電晶體(Tunnel Field Effect Transistor;TFET)、光學(xué)內部連結等技術(shù)。

　　透過(guò)研發(fā)新興記憶體相關(guān)材料與技術(shù)，南韓計劃開(kāi)發(fā)高附加價(jià)值型記憶體核心技術(shù)，除朝穿戴式裝置擴大應用范圍外，更將提升容量與增添功能，并降低功耗以符合行動(dòng)應用低功耗需求。

　　為平衡三星與南韓封測、IC設計公司等中小型企業(yè)間的差距，在南韓政府主導下，如三星等大企業(yè)于半導體領(lǐng)域有閑置廠(chǎng)房、設備或智財權，將可移轉給南韓中小企業(yè)使用，此將有利促成南韓大型企業(yè)與中小型企業(yè)共同成長(cháng)。

　　由于南韓自2012年起已推動(dòng)將奈米碳管等技術(shù)應用于后(Post)互補式金屬氧化物半導體(Complementary Metal Oxide Semiconductor;CMOS)型次世代半導體的奈米相關(guān)計畫(huà)，為避免資源浪費，南韓已著(zhù)手協(xié)調奈米相關(guān)計畫(huà)與半導體計畫(huà)的負責單位協(xié)議組成新團體，以促使成果相互連結。

　　DIGITIMES Research觀(guān)察，南韓為穩固全球記憶體龍頭地位，不僅將重點(diǎn)放在研發(fā)新技術(shù)上，亦將透過(guò)研發(fā)成果及大企業(yè)閑置資產(chǎn)可由南韓中小型企業(yè)運用的方式，促成大型與中小型企業(yè)平衡發(fā)展，以避免資源過(guò)度集中的情形。

　　南韓次世代記憶體材料研發(fā)計畫(huà)預計投入金額及重點(diǎn)項目

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　　資料來(lái)源：南韓產(chǎn)業(yè)通商資源部，DIGITIMES整理，2014/12