英飛凌躍居2013年全球功率半導體龍頭
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時(shí)間：2014-09-25
來(lái)源：新電子
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英飛凌(Infineon)于2013年的全球功率半導體市場(chǎng)持續取得領(lǐng)先，蟬聯(lián)龍頭地位，同時(shí)在金屬氧化物半導體場(chǎng)效電晶體(MOSFET)功率電晶體市場(chǎng)首次取得領(lǐng)先。根據市調機構IHS的研究報告指出，英飛凌以12.3%的市占率連續11年奪得第一。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/263320.htm英飛凌執行長(cháng)Dr. Reinhard Ploss表示，事實(shí)證明英飛凌的策略正確，從產(chǎn)品導向的思維模式邁向系統級別的觀(guān)點(diǎn)，并提供最適合客戶(hù)的產(chǎn)品，幫助他們獲得成功。這點(diǎn)由英飛凌在MOSFET功率電晶體領(lǐng)域的持續成長(cháng)便可看出。
2013年全球功率半導體市場(chǎng)縮減0.3%，約為154億美元。盡管大環(huán)境情況不佳，英飛凌市占率仍達到12.3%，較前一年成長(cháng)了0.9%。另一方面，在MOSFET功率電晶體的市場(chǎng)區塊，該公司市占率成長(cháng)了1.6%達到13.6%，首度成為此市場(chǎng)區塊的最大供應商。同時(shí)，英飛凌也在分離式逆導絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)功率電晶體與IGBT模組的子市場(chǎng)市占率，分別位居第一、二名。
功率半導體可依據不同領(lǐng)域的應用，以分離式、模組化或組裝堆疊的組態(tài)供應，控制與轉換數瓦特到數百萬(wàn)瓦特的電力;而功率電晶體則是體積非常精巧的開(kāi)關(guān)，是節能電源供應器的
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