三星加碼氮化鎵功率半導體

根據韓媒報道，9月2日，三星電子在第二季度引入了少量用于大規模生產(chǎn)GaN功率半導體的設備。

GaN是下一代功率半導體材料，具有比硅更好的熱性能、壓力耐久性和功率效率?；谶@些優(yōu)勢，IT、電信和汽車(chē)等行業(yè)對其的需求正在增加。三星電子也注意到了GaN功率半導體行業(yè)的增長(cháng)潛力，并一直在推動(dòng)其進(jìn)入市場(chǎng)。

去年6月，在美國硅谷舉行的“2023年三星代工論壇”上，該公司正式宣布：“我們將在2025年為消費電子、數據中心和汽車(chē)領(lǐng)域推出8英寸GaN功率半導體代工服務(wù)?！?/p>

根據這一戰略，三星電子第二季度在其器興工廠(chǎng)引入了德國愛(ài)思強（Aixtron）的有機金屬化學(xué)氣相沉積（MOCVD）設備。該工廠(chǎng)負責三星電子8英寸晶圓代工，而公司GaN功率半導體工藝目前也是以8英寸為主。三星電子投資用于GaN研發(fā)的設施也位于該廠(chǎng)。

MOCVD是一種利用金屬有機原料生長(cháng)薄膜的技術(shù)。它在硅（Si）或碳化硅（SiC）晶圓上沉積GaN材料，制造GaN晶圓，發(fā)揮著(zhù)關(guān)鍵作用。

目前，用于GaN晶圓的MOCVD設備主要由愛(ài)思強和美國Veeco兩家公司供應。其中，愛(ài)思強的市場(chǎng)占有率極高。2023年，三星電子高管還與愛(ài)思強首席執行官（CEO）費利克斯·格拉伯特（Felix Graft）會(huì )面，雙方圍繞設備供應問(wèn)題展開(kāi)了討論。

然而，三星電子這次進(jìn)行的投資僅涉及購買(mǎi)1~2臺愛(ài)思強的最新型MOCVD設備。目前三星電子并未在GaN領(lǐng)域獲得大客戶(hù)訂單，而且公司的設備投資主要集中在HBM（高帶寬內存）等部分領(lǐng)域。因此投資GaN被視為一種控制公司投資步伐的策略。

一位半導體業(yè)內人員說(shuō)：“三星電子已經(jīng)在器興投資了GaN相關(guān)研發(fā)設施，并在今年年中引入了少量設備。但是，三星電子對早前預期的大規模量產(chǎn)投資采取了謹慎的態(tài)度?！?/p>

與此同時(shí)，東部高科（DB Hitech）和SK keyfoundry也在為GaN代工業(yè)務(wù)做準備。其中，DB Hitech于去年年底投資了GaN相關(guān)設施，并計劃明年初開(kāi)始量產(chǎn)；而SK keyfoundry則最早將于明年開(kāi)始利用現有設備進(jìn)行GaN的初步量產(chǎn)。

據TrendForce集邦咨詢(xún)推出的《2024全球GaN Power Device市場(chǎng)分析報告》顯示，隨著(zhù)英飛凌、德州儀器對GaN技術(shù)傾注更多資源，功率GaN產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。

2023年全球GaN功率元件市場(chǎng)規模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR（復合年增長(cháng)率）高達49%。其中非消費類(lèi)應用比例預計會(huì )從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車(chē)、數據中心和電機驅動(dòng)等場(chǎng)景為核心。