英飛凌率先開(kāi)發(fā)全球首項300 mm氮化鎵功率半導體技術(shù)，推動(dòng)行業(yè)變革

●   憑借這一突破性的 300 mm GaN技術(shù)，英飛凌將推動(dòng)GaN市場(chǎng)快速增長(cháng)

●   利用現有的大規模300 mm硅制造設施，英飛凌將最大化GaN生產(chǎn)的資本效率

●   300 mm GaN的成本將逐漸與硅的成本持平

300mm氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓 

英飛凌科技股份公司近日宣布，已成功開(kāi)發(fā)出全球首項300 mm氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓技術(shù)。英飛凌是全球首家在現有且可擴展的大規模生產(chǎn)環(huán)境中掌握這一突破性技術(shù)的企業(yè)。這項突破將極大地推動(dòng)GaN功率半導體市場(chǎng)的發(fā)展。相較于 200 mm晶圓，300 mm晶圓芯片生產(chǎn)不僅在技術(shù)上更先進(jìn)，也因為晶圓直徑的擴大，每片晶圓上的芯片數量增加了 2.3 倍，效率也顯著(zhù)提高。

基于GaN的功率半導體正在工業(yè)、汽車(chē)、消費、計算和通信應用中快速普及，包括AI系統電源、太陽(yáng)能逆變器、充電器和適配器以及電機控制系統等。先進(jìn)的GaN制造工藝能夠提高器件性能，為終端客戶(hù)的應用帶來(lái)諸多好處，包括更高的效率、更小的尺寸、更輕的重量和更低的總成本。此外，憑借可擴展性，300 mm制造工藝在客戶(hù)供應方面具有極高的穩定性。

英飛凌科技首席執行官Jochen Hanebeck

英飛凌科技首席執行官Jochen Hanebeck表示：“這項重大成功是英飛凌的創(chuàng )新實(shí)力和全球團隊努力工作的結果，進(jìn)一步展現了我們在GaN和功率系統領(lǐng)域創(chuàng )新領(lǐng)導者的地位。這一技術(shù)突破將推動(dòng)行業(yè)變革，使我們能夠充分挖掘GaN的潛力。在收購GaN Systems近一年后，我們再次展現了在快速增長(cháng)的GaN市場(chǎng)成為領(lǐng)導者的決心。作為功率系統領(lǐng)域的領(lǐng)導者，英飛凌掌握了全部三種相關(guān)材料，即：硅、碳化硅和氮化鎵?！?/p>

英飛凌已在其位于奧地利菲拉赫（Villach）的功率半導體晶圓廠(chǎng)中，利用現有300 mm硅生產(chǎn)設備的整合試產(chǎn)線(xiàn)，成功地生產(chǎn)出300 mm GaN晶圓。英飛凌正通過(guò)現有的 300 mm硅和 200 mm GaN的成熟產(chǎn)能發(fā)揮其優(yōu)勢，同時(shí)還將根據市場(chǎng)需求進(jìn)一步擴大GaN產(chǎn)能。憑借300 mm GaN制程技術(shù)，英飛凌將推動(dòng)GaN市場(chǎng)的不斷增長(cháng)。據估計，到2030年末，GaN市場(chǎng)規模將達到數十億美元。

英飛凌位于奧地利菲拉赫（Villach）的功率半導體晶圓廠(chǎng)

這一開(kāi)創(chuàng )性的技術(shù)成就彰顯了英飛凌在全球功率系統和物聯(lián)網(wǎng)半導體領(lǐng)域的領(lǐng)導者地位。英飛凌正通過(guò)布局300 mm GaN技術(shù)，打造更具成本效益價(jià)值、能夠滿(mǎn)足客戶(hù)系統全方位需求的產(chǎn)品，以加強現有解決方案并使新的解決方案和應用領(lǐng)域成為可能。2024年11月，英飛凌將在慕尼黑電子展（electronica）上向公眾展示首批300 mm GaN晶圓。

由于GaN和硅的制造工藝十分相似，因此300 mm GaN技術(shù)的一大優(yōu)勢是可以利用現有的 300 mm硅制造設備。英飛凌現有的大批量300 mm硅生產(chǎn)線(xiàn)非常適合試產(chǎn)可靠的GaN技術(shù)，既加快了實(shí)現的速度，又能夠有效利用資本。300 mm GaN的全規?；a(chǎn)將有助于實(shí)現GaN與硅的成本在同一R_DS(on) 級別能夠接近，這意味著(zhù)同級的硅和GaN產(chǎn)品的成本將能夠持平。

300 mm GaN是英飛凌戰略創(chuàng )新領(lǐng)導地位的又一里程碑，將助推英飛凌低碳化和數字化使命的達成。