臺積電10奈米制程將于明年試產(chǎn)

　　將在6月24日召開(kāi)股東會(huì )的臺積電(2330)，股東會(huì )年報已先出爐，預估未來(lái)5年全球半導體市場(chǎng)年成長(cháng)率僅3~5%，臺積電的成長(cháng)將顯著(zhù)超越全球半導體市場(chǎng);而在高階制程進(jìn)展上，臺積電也明確提到10奈米制程將于明年試產(chǎn)、2016年量產(chǎn)。

　　在致股東報告書(shū)中，臺積電董事長(cháng)張忠謀指出，相較半導體產(chǎn)業(yè)表現，臺積電自成立27年以來(lái)，其中25年業(yè)績(jì)成長(cháng)皆顯著(zhù)高于整體半導體產(chǎn)業(yè)水準。

　　內容指出，2013年是臺積電營(yíng)收及獲利再創(chuàng )高峰的1年。4年前，臺積電洞察半導體產(chǎn)業(yè)將因智慧型手機與平板電腦等行動(dòng)運算裝置的問(wèn)市，而有絕佳的成長(cháng)機會(huì )，因而大筆投資于研發(fā)與資本支出，如今證明，行動(dòng)運算產(chǎn)品果然引領(lǐng)潮流，觸發(fā)新一波的成長(cháng)動(dòng)能。

　　臺積10nm明年試產(chǎn)，未來(lái)5年半導體年增僅3~5%臺積成長(cháng)勝產(chǎn)業(yè)

　　28奈米市占逾8成

　　在先進(jìn)制程中，張忠謀說(shuō)，晶片設計公司快速采用臺積電28奈米制程技術(shù)，以追求性能更卓越、更低耗電、晶片尺寸更小的行動(dòng)運算產(chǎn)品，2013年28奈米晶圓的出貨量及銷(xiāo)貨收入，帶來(lái)近乎3倍成長(cháng)，創(chuàng )下超過(guò)80%市占率。

　　延續28奈米制程技術(shù)的成功，臺積電20奈米系統單晶片繼2013年接受客戶(hù)的產(chǎn)品設計定案后，已于2014年進(jìn)入量產(chǎn)，將排入許多產(chǎn)品設計定案，預期20奈米制程將較28奈米制程更快進(jìn)入量產(chǎn)，并將成為驅動(dòng)臺積電2014及2015年顯著(zhù)成長(cháng)的動(dòng)力。

　　關(guān)于20奈米制程之后的16奈米鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)架構，已于2013年11月進(jìn)入試產(chǎn)、2014年初如期完成制程驗證，并預計在2015年、也就是20奈米量產(chǎn)后的1年內，達成量產(chǎn)時(shí)程目標，預計今年排入超過(guò)20個(gè)來(lái)自不同客戶(hù)、橫跨多種應用的產(chǎn)品設計定案。同時(shí)，也正在發(fā)展可較16-FinFET制程效能更高15%的16-FinFET制程強效版16-FinFET+。

　　著(zhù)手7奈米制程開(kāi)發(fā)

　　值得一提的是，臺積電也首次明確指出10奈米制程量產(chǎn)時(shí)間。張忠謀說(shuō)，2013年開(kāi)始進(jìn)行10奈米技術(shù)的開(kāi)發(fā)，并計劃于2015年試產(chǎn)、2016年量產(chǎn)，而10奈米技術(shù)將是繼16-FinFET制程及強效版制程之后的第3代FinFET制程，其效能與密度預計將為業(yè)界第1。在此同時(shí)，臺積電也正著(zhù)手于7奈米制程的開(kāi)發(fā)。

　　臺積電10奈米制程將于明年試產(chǎn)

　　至于在臺積電的設計生態(tài)系統「開(kāi)放創(chuàng )新平臺」方面，張忠謀強調將持續協(xié)助客戶(hù)快速利用先進(jìn)技術(shù)縮短產(chǎn)品上市時(shí)程，當中臺積電的「開(kāi)放創(chuàng )新平臺」，提供全球積體電路制造服務(wù)領(lǐng)域規模最大的元件資料庫與矽智財組合，2013年已拓展至超過(guò)6300件。