“最后也是最好的FINFET節點(diǎn)”
—— TSMC 預計其 N3 進(jìn)程將是一個(gè)長(cháng)時(shí)間運行且高容量的節點(diǎn)。
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在該公司的北美技術(shù)研討會(huì )上，臺積電業(yè)務(wù)發(fā)展和海外運營(yíng)辦公室高級副總裁兼聯(lián)合首席運營(yíng)官 Kevin Zhang 稱(chēng)其為“最后也是最好的 finfet 節點(diǎn)”。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202504/469879.htm臺積電的策略是開(kāi)發(fā) N3 工藝的多種變體，創(chuàng )建一個(gè)全面的、可定制的硅資源?！拔覀兊哪繕耸亲尲尚酒阅艹蔀橐粋€(gè)平臺，”Zhang 說(shuō)。
截至目前，可用或計劃中 N3 變體是：
N3B：基準 3nm 工藝。
N3E：成本優(yōu)化的版本，具有更少的 EUV 層數，并且沒(méi)有 EUV 雙重圖形。它的邏輯密度低于 N3，但具有更好的良率。
N3P：N3E 的增強版本，在相同速度下性能提高 5% 或功耗降低 5-10%，并為混合設計提供 4% 的晶體管密度增加。
N3X：針對 HPC，它允許更高的電壓和最大的時(shí)鐘頻率。它在 5V 電壓下提供的速度比 N3P 高 1.2%。
N3S：一種高密度變體，旨在最大限度地提高晶體管密度，可能使用單鰭庫，并可能采用背面供電。
N3RF：用于射頻產(chǎn)品
N3A： 用于汽車(chē)產(chǎn)品
N3C：適用于超值產(chǎn)品
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