美國斥資110億美元推動(dòng)半導體領(lǐng)域技術(shù)研究

據外媒報道，美國政府近日宣布將斥資110億美元設立專(zhuān)門(mén)的研發(fā)中心，推進(jìn)半導體領(lǐng)域的相關(guān)研究。

據悉，美國國家半導體技術(shù)中心（NSTC）預計將獲得50億美元注資。報道稱(chēng)，該中心采用公私聯(lián)合體架構，專(zhuān)注于推進(jìn)半導體芯片及相關(guān)技術(shù)的研究。

根據資金分配計劃，除了向NSTC提供50億美元的資金支持外，還將額外撥款30億美元用于推進(jìn)美國本土的半導體封裝計劃。同時(shí)，商務(wù)部還計劃投入2億美元創(chuàng )建美國芯片制造研究所，以及1.09億美元用于支持Chips Metrology項目。剩余的27億美元將作為后續投入，用于支持相關(guān)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。