臺積電最高將獲美國66億美元直接補貼 打造新半導體集群

據美國政府官方聲明，臺積電已與美國商務(wù)部達成不具約束力的初步條款備忘錄（PMT）。臺積電將獲得最高可達66億美元的直接資金補貼，根據初步協(xié)議還將向臺積電的晶圓廠(chǎng)建設提供最高可達50億美元的貸款。同時(shí)，臺積電計劃向美國財政部就TSMC Arizona資本支出中符合條件的部分，申請最高可達25%的投資稅收抵免。

臺積電方面承諾在亞利桑那州設立第三座晶圓廠(chǎng)，有助于提高產(chǎn)量，滿(mǎn)足市場(chǎng)對高性能芯片的需求，進(jìn)而在亞利桑那州打造一個(gè)前沿半導體集群。另外，這將有助于臺積電在應對地緣政治風(fēng)險和供應鏈挑戰方面發(fā)揮更大作用。

臺積電在美的整體投資將超650億美元，可在十年間為亞利桑那州當地創(chuàng )造6000個(gè)直接工作崗位和數以萬(wàn)計的間接崗位，此外還有累計超20000個(gè)的相關(guān)建筑業(yè)崗位。

現階段，臺積電正在當地興建兩座晶圓廠(chǎng)。不過(guò)，因為包括資金補助在內的種種問(wèn)題，2023年臺積電宣布在亞利桑那州建設的兩座廠(chǎng)房中，晶圓一廠(chǎng)(Fab21)的啟用時(shí)間從2024年推遲到2025年。2024年1月，又宣布原定于2026年開(kāi)始營(yíng)運的晶圓二廠(chǎng)，要等到2027或2028年才會(huì )進(jìn)行量產(chǎn)作業(yè)。

其中，晶圓一廠(chǎng)將提供4nm FinFET產(chǎn)能，晶圓二廠(chǎng)則將在3nm工藝外再引入2nm GAA工藝。兩座晶圓廠(chǎng)完工后，合計將年產(chǎn)超過(guò)60萬(wàn)片晶圓，換算至終端產(chǎn)品市場(chǎng)價(jià)值預估超過(guò)400億美元。

第三座晶圓廠(chǎng)預計將于2030年投入運營(yíng)，采用2nm或更先進(jìn)的制程技術(shù)進(jìn)行芯片生產(chǎn)。第三座晶圓廠(chǎng)的設立計劃將使臺積電在亞利桑那州鳳凰城據點(diǎn)的總資本支出超過(guò)650億美元，該據點(diǎn)為亞利桑那州史上規模最大的外國直接投資案。

根據先前路透社的報導指出，臺積電計劃擴大在美國亞利桑那州的投資設廠(chǎng)，預計將會(huì )興建達6座晶圓廠(chǎng)。對此，當時(shí)臺積電雖然回應亞利桑那州建廠(chǎng)計劃依原訂計劃執行。然而，臺積電總裁魏哲家先前也曾表示，臺積電在亞利桑那州已取得大范圍的土地以維持彈性，進(jìn)一步擴建是有可能的，但必須根據營(yíng)運效率、成本效益，及客戶(hù)需求來(lái)決定下一步計劃。

美國芯片法案目前資金分配情況

此前英特爾也與美國商務(wù)部簽署了類(lèi)似的條款備忘錄，涉及至多85億美元直接補貼和110億美元貸款。