CGD的ICeGaN HEMT榮獲臺積電歐洲創(chuàng )新區“最佳演示”

Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無(wú)晶圓廠(chǎng)環(huán)?？萍及雽w公司，開(kāi)發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日宣布其 ICeGaN? GaN HEMT 片上系統 (SoC) 在臺積電 2023 年歐洲技術(shù)研討會(huì )創(chuàng )新區榮獲“最佳演示”獎。

CGD 的 ICeGaN 已使用臺積電的 GaN 工藝技術(shù)為全球客戶(hù)進(jìn)行大批量生產(chǎn)，將典型外部驅動(dòng)電路的復雜性引入單片集成的 GaN HEMT 中。這一概念減少了 PCB 級的元件數量，并顯著(zhù)提高功率晶體管和整個(gè)系統的穩健性和可靠性，同時(shí)使用戶(hù)能夠將其與所選的柵極驅動(dòng)器耦合。這一概念可以輕松擴展到更高的功率和電壓，這也是 CGD 正在積極追求的目標。ICeGaN 作為行業(yè)首創(chuàng )，可以像 Si MOSFET 一樣驅動(dòng) GaN eMode HEMT。正是因為 ICeGaN 給市場(chǎng)帶來(lái)的差異化特性，創(chuàng )新區參觀(guān)者將其評選為“最佳演示”。創(chuàng )新區是臺積電在歐洲最大的年度活動(dòng)中為初創(chuàng )客戶(hù)展示尖端產(chǎn)品的地方。

GiorGIA LONGOBARDI | CGD 首席執行官

“CGD 認可臺積電在高壓 GaN 領(lǐng)域的領(lǐng)導地位，我們相信他們擁有業(yè)界最成熟、最可靠的工藝，所以我們選擇由臺積電生產(chǎn)我們的專(zhuān)有 ICeGaN 技術(shù) SoC。因此，我們也很高興獲得臺積電久負盛名的創(chuàng )新獎。

這對我們來(lái)說(shuō)具有重要意義，因為創(chuàng )新是 CGD 的關(guān)鍵價(jià)值觀(guān)之一，我們的目標是憑借技術(shù)取得領(lǐng)先地位。該獎項也真實(shí)地展示了我們兩家公司在將顛覆行業(yè)的創(chuàng )新 GaN 技術(shù)推向市場(chǎng)方面所取得的成功?！?/p>

Paul de Bot | 臺積電歐洲區總經(jīng)理

“我們對   CGD 表示最熱烈的祝賀，其創(chuàng )新技術(shù)能夠獲得此獎項，的確實(shí)至名歸。臺積電很高興與 CGD 合作，向全球開(kāi)發(fā)各種應用的公司大批量供應易于使用的 650V ICeGaN GaN 晶體管。我們期待與他們在 GaN 功率半導體技術(shù)領(lǐng)域的密切合作?！?/p>

近期剛剛上市的 ICeGaN H2 單芯片 eMode GaN HEMT 是我們的第二代 650V GaN IC，在空載到輕載工作中表現出創(chuàng )紀錄的低損耗特性，這對于許多消費和工業(yè)應用至關(guān)重要。CGD 與 H1 產(chǎn)品組合一起，在這次著(zhù)名的臺積電歐洲活動(dòng)和全球多個(gè)知名會(huì )議上展示了 65W 至 3kW 整個(gè)范圍內的最高效率和可靠性。CGD 力爭在不久的將來(lái)擴展其產(chǎn)品組合。

ICeGaN 在功率晶體管芯片內包含單片集成 GaN 接口電路。這簡(jiǎn)化了它們的使用方法，使它們能夠像硅 MOSFET 一樣驅動(dòng)，而不需要特殊的柵極驅動(dòng)器、復雜且有損耗的驅動(dòng)電路、負電壓電源或外部鉗位元件。這種創(chuàng )新設計使器件極其堅固可靠，同時(shí)實(shí)現了現有 eMode GaN 技術(shù)中的最高性能。