在光刻機新技術(shù)的研發(fā)上, 我們似乎又掉隊了

目前全球僅4家廠(chǎng)商，能夠制造光刻機，分別是荷蘭的ASML，日本的尼康、佳能，和上海的微電子。

從技術(shù)水平來(lái)看，ASML>尼康>佳能>上海微電子。如下圖所示，ASML的光刻機能夠達到3nm的精度了，而尼康的主要在28nm及以上，而佳能、上海微電子的在90nm以上。

再給大家一個(gè)數字，這是某機構統計的，2021年全球半導體前道光刻機的銷(xiāo)售情況，從這張表可以看出來(lái)，小米7nm的EUV光刻機，ASML全部包攬。

在45-7nm的光刻機上，僅有尼康、ASML能夠推出，尼康也就是打醬油，僅賣(mài)出4臺，另外的81臺全是ASML的。

直到180nm級別的KrF光刻機上，佳能才參與進(jìn)來(lái)，而中國廠(chǎng)商在前道光刻機的出貨量基本為0（也可能是沒(méi)有統計到），但不否認，其份額是可以忽略的。

目前硅基芯片被認為發(fā)展到極限了，而硅基芯片需要EUV光刻機，中國基本上在EUV光刻機，不太可能追得上了，所以很多人表示，在當前的光刻機技術(shù)上，既然我們這么落后，那么就應該換道超車(chē)了，在新的技術(shù)上，趕上來(lái)唄。

但是，要我說(shuō)實(shí)話(huà)，從目前已知的光刻機新技術(shù)來(lái)看，中國還是相對落后的。

目前已知的光刻機新技術(shù)，有三種，并且這三種技術(shù)也被大量的廠(chǎng)商在研究。

第一種是NIL技術(shù)，也就是納米壓印，將芯片的電路板，像打印機一樣，打印到硅片上，能夠比EUV光刻機精度更高，功耗更低，成本更低。

目前在這一種技術(shù)上，佳能表現最突出，申請的專(zhuān)利也最多，并且與鎧俠合作，已經(jīng)有成熟的產(chǎn)品了，我們沒(méi)有廠(chǎng)商表現很突出。

第二種技術(shù)是電子束光刻機(EBL)，用高能電子束來(lái)替代極紫外線(xiàn)，電子對應的波長(cháng)只有0.04納米，加工精度就比EUV又高了不少。

這種技術(shù)，目前是美國表現最為突出，美國廠(chǎng)商Zyvex還搞了一臺成熟的產(chǎn)品，并且制造出了0.768nm的芯片，不過(guò)目前這種光刻機效率低，無(wú)法大規模使用，但至少走在世界前列。

第三種技術(shù)稱(chēng)之為“自組裝（DSA）光刻技術(shù)”，利用新的化學(xué)材料，讓電路圖直接在硅片上生成，不需要光刻。

目前在這一塊表現突出的，是歐洲、美國的研發(fā)機構，像比利時(shí)微電子中心、麻省理工學(xué)院，都建立了自組裝產(chǎn)線(xiàn)進(jìn)行研究，專(zhuān)利也申請的最多。

實(shí)話(huà)實(shí)說(shuō)，目前中國的廠(chǎng)商，在這三種被大家認為大有未來(lái)的光刻機技術(shù)、專(zhuān)利上表現都不太突出，所以說(shuō)是落后了也并不過(guò)份。

當然，任何技術(shù)沒(méi)有成為真正的生產(chǎn)力之前，都有可能是無(wú)用功，這三大技術(shù)也不例外，現在被看好，未來(lái)也可能一事無(wú)成。

但能夠在這些前沿技術(shù)上發(fā)力，表現突出，也是實(shí)力的一種表現，所以中國廠(chǎng)商真的要加油，不管押注什么技術(shù)，都得趕緊研發(fā)了，否則落后又要挨打啊。