ASML最先進(jìn)的光刻機，花落誰(shuí)家？

4月上旬，全球光刻機龍頭企業(yè)ASML發(fā)布了其最新一代極紫外線(xiàn)(EUV)光刻設備Twinscan NXE:3800E，該工具投影透鏡擁有0.33的數值孔徑，旨在滿(mǎn)足未來(lái)幾年對于尖端技術(shù)芯片的制造需求，包括3nm、2nm等小尺寸節點(diǎn)。ASML還計劃進(jìn)一步推出另一代低數值孔徑(EUV)掃描儀Twinscan NXE:4000F，預計將于2026年左右發(fā)布。

近日，據外媒消息，ASML截至2025上半年的高數值孔徑EUV（High-NA EUV）設備訂單由英特爾全部包攬，據悉，英特爾在宣布重新進(jìn)入芯片代工業(yè)務(wù)時(shí)搶先購買(mǎi)了這些設備。由于A(yíng)SML的高數值孔徑EUV設備產(chǎn)能每年約為五至六臺，三星等其他大廠(chǎng)或需要2025下半年后才能獲得設備。ASML方面則計劃未來(lái)幾年要改善產(chǎn)能，年產(chǎn)能增加至20臺。

據悉，ASML的高數值孔徑EUV設備是芯片制造商制造2nm工藝節點(diǎn)芯片的必備設備，每臺設備的成本超過(guò)5000億韓元（當前約26.47億元人民幣）。NA代表數值孔徑，表示光學(xué)系統收集和聚焦光線(xiàn)的能力。數值越高，聚光能力越好，行業(yè)消息顯示，ASML最先進(jìn)的高數值孔徑EUV設備的數值孔徑將從0.33提高到0.55，這意味著(zhù)設備可以繪制更精細的電路圖案。

自2017年ASML的第一臺量產(chǎn)的EUV光刻機正式推出以來(lái)，三星的7nm、5nm、3nm工藝，臺積電的第二代7nm、5nm、3nm工藝的量產(chǎn)都是依賴(lài)于0.33數值孔徑的EUV光刻機來(lái)進(jìn)行生產(chǎn)。隨著(zhù)三星、臺積電、英特爾3nm制程芯片的相繼量產(chǎn)，目前這三大先進(jìn)制程制造廠(chǎng)商都在積極投資2nm制程的研發(fā)，以滿(mǎn)足未來(lái)高性能計算（HPC）等先進(jìn)芯片需求，并在晶圓代工市場(chǎng)的競爭當中取得優(yōu)勢。

英特爾方面，自2021年起就提出了IDM2.0戰略。目前其還處于高資本支出投入期，各地投資擴產(chǎn)計劃相繼開(kāi)出，并且先進(jìn)制程研發(fā)投入加速推進(jìn)。目前晶圓代工部門(mén)還處于虧損階段。

財報顯示，英特爾晶圓代工業(yè)務(wù)去年的營(yíng)業(yè)虧損較2022年擴大34.6%至70億美元，營(yíng)收同比下降31.2%至189億美元。當時(shí)英特爾預計，代工業(yè)務(wù)的營(yíng)業(yè)虧損會(huì )在今年達到峰值，2027年左右實(shí)現盈虧平衡。今年一季度英特爾代工業(yè)務(wù)實(shí)現營(yíng)收44億美元，同比下滑10%，營(yíng)業(yè)虧損25億美元。

擴產(chǎn)方面，2023年以來(lái)，英特爾相繼公布了在美國、歐洲和以色列興建半導體制造工廠(chǎng)的計劃，在各地政府的紛紛補助下，總投資金額高達千億美元。制程推進(jìn)方面，英特爾即將完成“四年五個(gè)制程節點(diǎn)”計劃，其中Intel 7，Intel 4和Intel 3已實(shí)現大規模量產(chǎn)。這樣來(lái)看，英特爾或許能在未來(lái)斬獲更多訂單。

三星在光刻機獲得方面亦早有計劃。今年一月，ASML韓國公司總裁Lee Woo-kyung透露，期待2027年帶來(lái)三星電子和ASML的合資企業(yè)新研發(fā)中心的高數值孔徑 (NA) 極紫外 (EUV) 設備。

據悉，這個(gè)新的半導體研究中心是韓國總統尹錫悅去年對荷蘭進(jìn)行國事訪(fǎng)問(wèn)期間組建的半導體聯(lián)盟的成果，三星電子和荷蘭設備公司ASML共同投資1萬(wàn)億韓元在韓國建立該中心。該設施將成為 ASML 和三星電子工程師使用 EUV 設備進(jìn)行先進(jìn)半導體研發(fā)合作的場(chǎng)所。該中心建于京畿道華城市ASML新園區前，將配備能夠實(shí)施亞2納米工藝的先進(jìn)高數值孔徑EUV光刻設備。Lee Woo-kyung表示，已在A(yíng)SML韓國華城新園區附近新獲得了一塊場(chǎng)地，將于明年開(kāi)始建設。計劃在竣工時(shí)引進(jìn)[高數值孔徑]設備，預計最晚會(huì )在2027年完成。

另外，據三星官方消息，近期，三星執行董事長(cháng)李在镕(Jay Y. Lee) 訪(fǎng)問(wèn)位于奧伯科亨 (Oberkochen) 的全球光學(xué)和光電子技術(shù)集團總部當時(shí)，會(huì )見(jiàn)了蔡司公司總裁兼總裁Karl Lamprecht以及其他公司高管，以深化與蔡司集團在下一代EUV和芯片技術(shù)方面的合作。

會(huì )上，雙方同意擴大EUV技術(shù)和尖端半導體設備研發(fā)方面的合作伙伴關(guān)系，以增強雙方的合作關(guān)系在代工和存儲芯片領(lǐng)域的業(yè)務(wù)競爭。公開(kāi)資料顯示，蔡司集團是全球唯一的極紫外（EUV）光系統供應商ASML Holding NV的光學(xué)系統唯一供應商。

據悉，三星電子的目標是引領(lǐng)3納米以下的微制造工藝技術(shù)，今年計劃采用EUV光刻技術(shù)量產(chǎn)第六代10納米DRAM芯片。未來(lái)，三星電子積極尋求到2025年實(shí)現2nm芯片商業(yè)化，到2027年實(shí)現1.4nm芯片商業(yè)化。