臺積明年營(yíng)收 集邦估增7～9％

市調機構集邦半導體研究處資深分析師喬安表示，明年影響半導體的四大因素包括全球通膨、中國清零、美國對中國新禁令、半導體在地化等。其中，晶圓代工龍頭臺積電受惠于漲價(jià)及3nm量產(chǎn)，明年營(yíng)收可望成長(cháng)7％～9％，并帶動(dòng)全球晶圓代工產(chǎn)值成長(cháng)2.7％。

對于美國擴大對中國半導體產(chǎn)業(yè)限制及發(fā)布新禁令，喬安以「扼殺先進(jìn)、遞延成熟」形容，在設備部份將沖擊中國的晶圓廠(chǎng)擴產(chǎn)，不過(guò)臺積電南京廠(chǎng)擴產(chǎn)已快完成，并且取得一年寬限期較不受影響。

至于美國發(fā)布對中國的高階高效能運算（HPC）芯片出口禁令，輝達及超威銷(xiāo)售受限為間接影響，但中國市場(chǎng)訂單流失為直接影響。

因為全球地緣政治風(fēng)險升高，半導體在地化已成為各地區主要政策，各地區以補貼吸引晶圓代工投資設廠(chǎng)，但集邦認為，中國臺灣在先進(jìn)制程仍居舉足輕重地位，但各國成熟制程產(chǎn)能陸續開(kāi)出，將為市場(chǎng)帶來(lái)挑戰。再者，半導體廠(chǎng)商會(huì )更積極展開(kāi)特殊制程多元化布局，與競爭對手做出差異化。

由于英特爾宣布進(jìn)入晶圓代工市場(chǎng)，中國半導體廠(chǎng)亦擴大晶圓代工產(chǎn)能，喬安認為，2023年中國臺灣晶圓代工市占約47％，但2025年將降到44％，這段期間當中，中國占比將由25％提升至28％，美國則由6％提高至7％。

集邦預估晶圓代工營(yíng)收去年成長(cháng)約26％，今年可望成長(cháng)28％，而明年因為半導體生產(chǎn)鏈仍在進(jìn)行庫存調整，但臺積電受惠于漲價(jià)及3nm量產(chǎn)，明年營(yíng)收可望成長(cháng)7%～9％，在臺積電帶動(dòng)下，明年全球晶圓代工營(yíng)收仍可維持成長(cháng)態(tài)勢，預估年成長(cháng)率可達2.7％。

先進(jìn)制程的競爭亦是明年半導體市場(chǎng)重要議題，喬安認為，明年仍然只有臺積電與三星在先進(jìn)制程相互競爭，廠(chǎng)商主要著(zhù)重在3nm良率改善與延伸制程，在新一代的環(huán)繞閘極晶體管（GAA）架構部分，三星已在3nm制程先行導入，臺積電則預期會(huì )在2nm導入。