三星3納米超車(chē)臺積電？重要數據曝光！結局出乎意料

臺積電在4月中的法說(shuō)會(huì )曾透露，預計今年下半年量產(chǎn)3納米，2納米制程的量產(chǎn)時(shí)間則落在2025年，沒(méi)想到三星上周公開(kāi)表示，公司將在未來(lái)幾周內量產(chǎn)3納米。若此事成真，三星將搶先臺積電量產(chǎn)3納米，然而三星在制程利率的問(wèn)題仍是外界關(guān)注焦點(diǎn)，先前有外媒披露，三星3納米的良率最高僅2成，迫使部分IC 設計大廠(chǎng)選擇轉單至臺積電。
科技網(wǎng)站Tom's Hardware報導，三星上周發(fā)出一份公開(kāi)聲明，內容提到公司將透過(guò)世界上首次大規模生產(chǎn)3納米GAA技術(shù)來(lái)加強技術(shù)在產(chǎn)業(yè)領(lǐng)先的地位，有望在本季，即未來(lái)幾周內開(kāi)始量產(chǎn)。
另一方面，臺積電4月中法說(shuō)會(huì )曾提到，3納米制程預計年底量產(chǎn)，2納米按照進(jìn)度開(kāi)發(fā)，預計2024年進(jìn)入風(fēng)險試產(chǎn)階段，于2025年量產(chǎn)。臺積電3納米使用的是FinFET架構，與三星使用的GAA架構不同，臺積電要是在2納米才轉向使用GAA架構。
若三星真的在本季量產(chǎn)3納米，代表他們將超車(chē)臺積電，但產(chǎn)品的良率仍是關(guān)注焦點(diǎn)，先前有外媒披露，三星3納米由于專(zhuān)利IP數量的不足，導致良率僅10至20%左右，這使得客戶(hù)出現擔憂(yōu)，且三星4納米的良率雖然有較高的35%良率，但遠遠不及臺積電的7成，使得高通選擇轉單臺積電。