EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
3納米
3納米 文章 進(jìn)入3納米技術(shù)社區
三星3納米良率慘爆一度0％？
- 三星一直想透過(guò)3納米技術(shù)超車(chē)臺積電，但結果始終不如預期，相較臺積電已經(jīng)取得多位大客戶(hù)的訂單，并反映在財報上，三星3納米技術(shù)甚至被爆出良率一度只有0%，即使高層堅稱(chēng)「很穩定」自家人韓媒不買(mǎi)賬，直言很多大廠(chǎng)都沒(méi)有明確要下訂單。 韓媒DealSite此前曾爆料，三星生產(chǎn)Exynos 2500處理器時(shí)，良率一度僅有0%，加上知名分析師郭明錤日前撰文表示，高通將成為三星Galaxy S25系列機型的獨家SoC供貨商，原因是三星自家的Exynos 2500芯片良率低于預期，因此無(wú)法出貨。接二連三的消息都顯示，三星3納
- 關(guān)鍵字： 三星 3納米 良率
臺積電漲價(jià)卻滿(mǎn)手訂單 韓媒低頭認三星2大敗筆
- 臺積電3納米產(chǎn)能供不應求，預期訂單滿(mǎn)至2026年，日前傳出臺積電3納米代工價(jià)調整上看5％以上，先進(jìn)封裝明年年度報價(jià)也約有10％～20％的漲幅。韓媒撰文指出，臺積電漲價(jià)三星并未獲得轉單好處，主因大客戶(hù)優(yōu)先考慮的并非價(jià)格，而是高良率與先進(jìn)制程的可靠生產(chǎn)力。 韓媒BusinessKorea以「臺積電漲價(jià)仍留住客戶(hù)的原因是什么？」為題撰文指出，輝達執行長(cháng)黃仁勛6月初在臺北國際計算機展期間，曾表示支持臺積電提高代工價(jià)格，并表示蘋(píng)果、高通等也將會(huì )接受臺積電漲價(jià)。由于臺積電3納米供應嚴重短缺，產(chǎn)生繼續漲價(jià)的空間，報導續
- 關(guān)鍵字： 臺積電 三星 3納米
大陸能做到3納米？劉德音霸氣否認
- 臺積電董事長(cháng)劉德音日前股東會(huì )上霸氣表示，「華為不可能追上臺積電」。事實(shí)上，美國對中國大陸實(shí)施芯片制裁，華為首當其沖，華為高層日前坦言，中國正面臨芯片技術(shù)上的困境，并稱(chēng)「能解決7納米就非常好了」。劉德音4日在退休前的最后一次股東會(huì )上，回答股東提問(wèn)時(shí)強調，臺積電著(zhù)重的是自己發(fā)展的速度夠不夠快，是不是華為都沒(méi)關(guān)系，因為永遠都會(huì )有競爭對手。至于華為會(huì )不會(huì )超越臺積電，劉德音霸氣響應說(shuō)：「根本不可能，總裁（魏哲家）也不用回答了?！姑绹鴮Υ箨懠莱鰢栏竦男酒隹诠苤?，全球半導體設備龍頭艾司摩爾（ASML）先進(jìn)機臺不能賣(mài)給
- 關(guān)鍵字： 3納米 劉德音 臺積電
拼命追趕還是慘輸臺積電 三星3納米最新良率曝光
- 臺積電的先進(jìn)制程技術(shù)遙遙領(lǐng)先其他競爭對手，也獲得全球大客戶(hù)肯定。不過(guò)南韓三星電子仍努力追趕，想要分一杯羹。據最新爆料，三星的3納米良率已大幅提升到原本的3倍，但仍是落后臺積電?？萍季W(wǎng)站W(wǎng)ccftech引述知名爆料者Revegnus在社群平臺X（前身為推特）的發(fā)文報導，三星的3納米制程良率一開(kāi)始雖然只有10～20%，但最近已拉升至3倍以上。盡管三星如今3納米制程良率已達30~60%之間，但Revegnus直言，相較于使用FinFET制程的臺積電，三星的良率數據依然偏低。不過(guò)三星對于第二代3納米制程寄予厚望，
- 關(guān)鍵字： 臺積電 三星 3納米 良率
3納米市占超車(chē)美國對手 中砂拼先進(jìn)制程 明年靚
- 再生晶圓暨鉆石碟大廠(chǎng)中砂6日舉辦法說(shuō)會(huì )，發(fā)言人李偉彰副總指出，公司于研發(fā)階段便與客戶(hù)共同投入研發(fā)，過(guò)往持續擴增實(shí)驗室規模，于客戶(hù)先進(jìn)制程逐漸斬獲成效，于3納米制程已經(jīng)獲得7成之市占，彎道超車(chē)美國競爭對手。李偉彰強調，未來(lái)在2納米甚至更先進(jìn)制程，皆不會(huì )落下；伴隨線(xiàn)徑微縮極致的追求，耗材使用壽命只會(huì )愈來(lái)愈短，對耗材供應系一大利多。 中砂第三季營(yíng)收獲利逐步回溫，自第一季低點(diǎn)之后、逐季好轉，其中毛利率站回3成之水平，達到32％，營(yíng)益率也回到17％，稅后純益達2.92億元，單季每股稅后純益（EPS）2.02元；前三
- 關(guān)鍵字： 3納米 中砂 先進(jìn)制程
臺積電3納米差點(diǎn)背鍋！iPhone15發(fā)熱禍首是一零件
- iPhone 15 Pro系列新機出現容易過(guò)熱的毛病，外界一度以為是臺積電3納米的問(wèn)題，但蘋(píng)果官方上周末發(fā)聲明表示，主要是iOS 17系統的漏洞與第三方應用程序（APP）交互作用下所導致。此外，有業(yè)內人士爆料，罪魁禍首恐怕是規格升級的DRAM（動(dòng)態(tài)隨機存取內存）造成運行龐大負擔。知名科技爆料者Revegnus在社群軟件X（原名Twitter）上引述一位熟悉蘋(píng)果半導體業(yè)務(wù)的達人說(shuō)法，「幾乎已經(jīng)確定iPhone 15系列的DRAM是發(fā)燙的罪魁禍首，規格升級的DRAM為了配合數據處理速度，消耗了更多電力，這個(gè)過(guò)
- 關(guān)鍵字： 臺積電 3納米 iPhone15 發(fā)熱
臺積電3納米不怎么樣？評測A17 Pro
- 蘋(píng)果上周推出iPhone 15全系列新機，其中Pro以上高階款機型采用A17 Pro芯片，由臺積電最新3納米代工，知名大陸科技部落客極客灣對此進(jìn)行評測，直言很先進(jìn)但能效不夠好，性能強但14W功耗發(fā)熱也極高，此事引起PTT網(wǎng)友熱烈討論，有網(wǎng)友提到，臺積電3納米確實(shí)還在進(jìn)步中，但已經(jīng)目前最好的技術(shù)，且芯片效能跟設計有關(guān)，臺積電只負責代工。極客灣的評測結果顯示，A17 Pro芯片并沒(méi)有展現臺積電3納米所預估的能耗比實(shí)力，且GPU性能測試似乎不如高通驍龍8 Gen 2，主要在散熱、續航及游戲等實(shí)測結果并不是特別突
- 關(guān)鍵字： 臺積電 3納米 A17 Pro
臺積電助攻！蘋(píng)果3納米A17 Pro芯片5亮點(diǎn)曝光
- 蘋(píng)果發(fā)表會(huì )正式公開(kāi)iPhone 15系列新機，其中Pro及Pro Max搭載A17 Pro處理器芯片，受外界高度關(guān)注。該產(chǎn)品不僅是由臺積電代工，還是首款3奈米手機芯片，成為蘋(píng)果此次發(fā)表會(huì )的核心，盤(pán)點(diǎn)5大亮點(diǎn)讓你了解。蘋(píng)果對A17 Pro芯片信心十足，帶有6核CPU、6核GPU及16 核神經(jīng)網(wǎng)絡(luò )引擎，甚至可以挑戰某些PC性能，相當強大。CPU速度加快10%、GPU速度提升20%，能源效率與性能可說(shuō)是歷代最強。A17 Pro芯片僅應用在Pro及Pro Max系列上，iPhone 15及iPhone 15 Pl
- 關(guān)鍵字： 臺積電 蘋(píng)果 3納米 A17 Pro
黃仁勛才挺臺積電生產(chǎn)下代芯片，3納米RTX5090曝光
- 就在英偉達創(chuàng )辦人兼董執行帳黃仁勛表明，下一代芯片仍將由晶圓代工龍頭臺積電來(lái)代工生產(chǎn)，因為中國臺灣生產(chǎn)仍具有優(yōu)勢之后，現在外界傳出，英偉達的下一代旗艦級顯卡──RTX5090將使用臺積電的3納米制程技術(shù)，預計將在2024年年底前推出。根據外媒Hardwaretimes的報導，英偉達在2022年推出的RTX40系列顯卡，代號為Ada Lovelace，而下一代英偉達RTX顯卡系列，其代號為Blackwell，并表示這些GPU將在臺積電的3納米（N3）節點(diǎn)制程上生產(chǎn)，內含晶體管數量將超過(guò)150億個(gè)，晶體管密
- 關(guān)鍵字： 黃仁勛 臺積電 3納米 RTX5090 英偉達
定了！臺積電3納米下周量產(chǎn)
- 12月25日，據臺媒報道，臺積電總裁魏哲家此前預告“3納米今年內在臺灣地區量產(chǎn)”的承諾即將兌現。12月23日，臺積電發(fā)出活動(dòng)邀請，12月29日將在南科舉辦3納米量產(chǎn)暨擴廠(chǎng)典禮。此前，魏哲家在法說(shuō)會(huì )上提到，3納米進(jìn)度符合預期，具備良好良率并將在第四季度量產(chǎn)，在高速運算和智能手機應用驅動(dòng)下，客戶(hù)對3納米需求超過(guò)產(chǎn)能。此外，魏哲家承諾2納米工藝2025年量產(chǎn)時(shí)會(huì )是“最領(lǐng)先的技術(shù)”。臺積電多次預告今年內在南科量產(chǎn)3納米。南科晶圓18廠(chǎng)是3納米制程的主要生產(chǎn)基地，3納米制程技術(shù)將是5納米（N5）制程技術(shù)之后的另一個(gè)
- 關(guān)鍵字： 臺積電 3納米
高通/英偉達/百度上榜？三星3納米芯片客戶(hù)曝光
- 據韓國經(jīng)濟新聞報道，三星電子將運用業(yè)界最先進(jìn)的3納米制程技術(shù)為英偉達、高通、IBM、百度等客戶(hù)代工芯片，預計最早將從2024年開(kāi)始產(chǎn)品供應。消息稱(chēng)，三星將以3納米制程為英偉達代工繪圖處理器(GPU)、為IBM代工服務(wù)器用中央處理器(CPU)、為高通代工智能手機應用處理器，并為百度代工云端資料中心使用的人工智能(AI)芯片。這些客戶(hù)考慮到三星擁有3納米技術(shù)，再加上分散供應源的需要，因此決定委托三星代工。報道指出，這些客戶(hù)公司綜合考慮了三星3納米技術(shù)能力、從過(guò)去開(kāi)始的戰略合作關(guān)系、確保多個(gè)供應鏈的必要性等因素
- 關(guān)鍵字： 高通 英偉達 百度上榜 三星 3納米
臺積電創(chuàng )始人張忠謀證實(shí)：將在美設 3 納米晶圓廠(chǎng)
- 11 月 21 日消息，臺積電創(chuàng )始人張忠謀周一接受采訪(fǎng)時(shí)表示，目前在亞利桑那設置的 5 納米廠(chǎng)是美國最先進(jìn)的制程，但臺積電最先進(jìn)的制程已到 3 納米。他本人證實(shí)，臺積電將在美國設立目前最先進(jìn)的 3 納米晶圓廠(chǎng)。IT之家了解到，臺積電在美國亞利桑那州投資的 12 英寸晶圓廠(chǎng)將于 12 月 6 日舉行移機典禮，臺積電表示，計劃邀請包含客戶(hù)、供應商、學(xué)術(shù)界和政府代表在內嘉賓，一同慶祝首批機器設備到廠(chǎng)的重要里程碑，張忠謀跟太太也會(huì )親自參加。此外，美國商務(wù)部長(cháng)已經(jīng)答應出席臺積電美國亞利桑那州晶圓廠(chǎng)的“首部機器移機”
- 關(guān)鍵字： 臺積電 3納米 晶圓廠(chǎng)
TechInsights：關(guān)于納米的謊言
- 代工廠(chǎng)放任客戶(hù)編造制造工藝謊言許多人偶爾會(huì )謊報自己的年齡或體重，但若公司出現了謊報行為，則可視為虛假廣告或至少構成了品牌稀釋。最近的半導體市場(chǎng)就出現了這種情況，當時(shí)，兩家領(lǐng)先的代工廠(chǎng)都放任客戶(hù)聲稱(chēng)他們采用了4納米工藝，而實(shí)際使用的卻仍是5納米技術(shù)。這種情況讓雙方均形象受損，尤其是代工廠(chǎng)。而這背后，也意味著(zhù)晶體管發(fā)展的緩慢。這個(gè)問(wèn)題最初始于三星。在與臺積電下一個(gè)節點(diǎn)的長(cháng)期競爭中，三星在交付5納米芯片的一年后宣布將于2021年底交付生產(chǎn)4納米芯片。如圖1所示，臺積電計劃在5納米和4納米節點(diǎn)之間用兩年時(shí)間，在2
- 關(guān)鍵字： TechInsights 代工廠(chǎng) 制造工藝 謊言 5納米 4納米 3納米
三星GAA架構3納米領(lǐng)先量產(chǎn)
- 韓國三星電子6月30日正式宣布新一代環(huán)繞閘極晶體管（GAA）架構的3nm制程進(jìn)入量產(chǎn)階段，號稱(chēng)是全球第一家3nm進(jìn)入生產(chǎn)的晶圓代工廠(chǎng)，不過(guò)市場(chǎng)預期三星的產(chǎn)能規模仍無(wú)法追上競爭對手臺積電。臺積電仍維持3奈米下半年進(jìn)入量產(chǎn)預期，業(yè)界推估第四季投片規?？赏^(guò)1萬(wàn)片，包括高通、蘋(píng)果、英特爾等都是主要客戶(hù)。三星宣布開(kāi)始量產(chǎn)GAA架構3nm制程，但未公布首發(fā)客戶(hù)及產(chǎn)能規劃，外電報導客戶(hù)包括中國虛擬貨幣挖礦機芯片廠(chǎng)上海盤(pán)硅半導體及手機芯片大廠(chǎng)高通，但高通會(huì )視情況進(jìn)行投片。三星指出，3nm采用多橋通道場(chǎng)效晶體管（MBC
- 關(guān)鍵字： 三星 GAA架構 3納米
三星公布3納米GAA架構制程技術(shù)芯片開(kāi)始生產(chǎn)
- 2022年6月30日，作為先進(jìn)的半導體技術(shù)廠(chǎng)商之一的三星電子今日宣布, 基于3納米（nm）全環(huán)繞柵極（Gate-All-AroundT,簡(jiǎn)稱(chēng) GAA）制程工藝節點(diǎn)的芯片已經(jīng)開(kāi)始初步生產(chǎn)。較三星5納米（nm）而言，優(yōu)化的3納米（nm）工藝，性能提高23%，功耗降低45%，芯片面積減少16%三星電子首次實(shí)現GAA"多橋-通道場(chǎng)效應晶體管"（簡(jiǎn)稱(chēng): MBCFETTM Multi-Bridge-Channel FET）應用打破了FinFET技術(shù)的性能限制，通過(guò)降低工作電壓水平來(lái)提高
- 關(guān)鍵字： 三星 3納米 GAA
3納米介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條3納米!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對3納米的理解，并與今后在此搜索3納米的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對3納米的理解，并與今后在此搜索3納米的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473