投資5000多萬(wàn) 俄羅斯計劃研發(fā)全新EUV光刻機：ASML都沒(méi)有

光刻機是半導體制造中的核心設備之一，EUV光刻機全球也只有ASML公司能夠研發(fā)、生產(chǎn)，但它的技術(shù)限制也很多，俄羅斯計劃開(kāi)發(fā)全新的EUV光刻機，使用的是X射線(xiàn)技術(shù)，不需要光掩模就能生產(chǎn)芯片。
　　光刻機的架構及技術(shù)很復雜，不過(guò)決定光刻機分辨率的主要因素就是三點(diǎn)，分別是常數K、光源波長(cháng)及物鏡的數值孔徑，波長(cháng)越短，分辨率就越高，現在的EUV光刻機使用的是極紫外光EUV，波長(cháng)13.5nm，可以用于制造7nm及以下的先進(jìn)工藝工藝。
　　俄羅斯莫斯科電子技術(shù)學(xué)院 (MIET)現在就接下了貿工部的6.7億盧布資金(約合5100萬(wàn)元人民幣)，也要開(kāi)發(fā)制造芯片的光刻機，而且號稱(chēng)要達到EUV級別，但技術(shù)原理完全不同，他們研發(fā)的是基于同步加速器和/或等離子體源”的無(wú)掩模X射線(xiàn)光刻機。
　　X射線(xiàn)光刻機使用的是X射線(xiàn)，波長(cháng)介于0.01nm到10nm之間，比EUV極紫外光還要短，因此光刻分辨率要高很多。
　　此外，X射線(xiàn)光刻機相比現在的EUV光刻機還有一個(gè)優(yōu)勢，那就是不需要光掩模版，可以直寫(xiě)光刻，這也節省了一大筆費用。
　　正因為有這么兩個(gè)特點(diǎn)，俄羅斯要研發(fā)的X射線(xiàn)光刻機優(yōu)勢很大，甚至被當地的媒體宣傳為全球都沒(méi)有的光刻機，ASML也做不到。
　　從相關(guān)資料來(lái)看，全球確實(shí)沒(méi)有能達到規模量產(chǎn)的X射線(xiàn)光刻機，不過(guò)這種技術(shù)并不是現在才有，不僅美國、歐洲研究過(guò)，國內也有科研機構做了X射線(xiàn)光刻機，只是生產(chǎn)芯片的效率跟ASML的光刻機不能比的，只適合特定場(chǎng)景。
　　不過(guò)俄羅斯在X射線(xiàn)及等離子之類(lèi)的技術(shù)上有深厚的基礎，倒是可以期待下他們在新型光刻機上能走多遠。