臺積電 28nm 產(chǎn)能罕見(jiàn)滿(mǎn)載，中芯轉單效應提前發(fā)酵
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據臺媒 DigiTimes 報道，供應鏈表示，臺積電28nm 制程產(chǎn)能利用率過(guò)去始終未達預期，第4季度出現多年未見(jiàn)的滿(mǎn)載情況。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202011/419975.htm
報道指出，其中，高通（Qualcomm），博通（Broadcom）將原在中芯28nm 制程生產(chǎn)的產(chǎn)品提早轉移過(guò)來(lái)，成為臺積電28nm 產(chǎn)能利用率達100% 的主要原因。
與目前的5nm、7nm 工藝相比，28nm、40/45nm 盡管已推出較長(cháng)時(shí)間，但它們仍在繼續發(fā)揮作用，并在臺積電營(yíng)收中占有較大比重。
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