三星5nm被曝良品率低下:高通驍龍875G懸了
這幾年,臺積電的半導體工藝銜枚疾進(jìn),相比之下三星、Intel進(jìn)展就不太順利了,尤其是三星在爭奪代工訂單的時(shí)候一直處于不利地位,比如最關(guān)鍵的良品率,就多次有消息說(shuō)敵不過(guò)臺積電。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/202007/415881.htm現在,DigiTimes又報道稱(chēng),三星最新的5nm EUV工藝就又遇到了麻煩,良品率不達標,將會(huì )影響高通驍龍875G、驍龍735G的正常推出。
原報道沒(méi)有給出更多細節,暫時(shí)不清楚是什么原因導致的,但是我們都知道,半導體工藝越來(lái)越復雜,難度越來(lái)越高,想第一時(shí)間就達到完美預期幾乎是不可能的,總要經(jīng)歷一個(gè)過(guò)程。
不過(guò)另一方面,臺媒發(fā)布一些不利于三星新工藝的消息也不是一次兩次的,有時(shí)候甚至是有意為之,目的自然是給臺積電打掩護,三星也曾經(jīng)特意辟謠過(guò),所以現在的情況還不太好說(shuō)。
根據此前消息,高通將在今年第四季度商用驍龍662、驍龍460,明年第一季度商用驍龍875G、驍龍435G,明年第二季度商用驍龍735G。
驍龍875G自然是下一代旗艦,按慣例今年底發(fā)布,消息稱(chēng)可能會(huì )首次引入Cortex-X1超大核心、Cortex-A78大核心的組合,其中全新設計的X1核心能效相比A77、A78分別高出30%、23%,機器學(xué)習能力也比A78高出一倍。
另外,驍龍875G有望首次在高通旗艦平臺集成5G基帶,徹底告別外掛。
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