國產(chǎn)5nm半導體設備已獲得臺積電訂單 5nm以下技術(shù)研發(fā)中

除了大家都知道的光刻機,半導體設備生產(chǎn)中還需要各種設備,國內的中微半導體設備公司已經(jīng)能夠生產(chǎn)高端刻蝕設備,其5nm刻蝕機已經(jīng)批量生產(chǎn),用于臺積電的5nm生產(chǎn)線(xiàn)中。

中微半導體上周末發(fā)布了2019年財報,全年實(shí)現營(yíng)業(yè)收入19.47億元,同比增長(cháng)18.77%;實(shí)現歸母凈利潤1.89億元,同比增長(cháng)107.51%。

根據該公司年報,中微公司開(kāi)發(fā)的高端刻蝕設備已運用在國際知名客戶(hù)65納米到7納米的芯片生產(chǎn)線(xiàn)上。

同時(shí),公司根據先進(jìn)集成電路廠(chǎng)商的需求,已開(kāi)發(fā)出5納米刻蝕設備用于若干關(guān)鍵步驟的加工,并已獲得行業(yè)領(lǐng)先客戶(hù)的批量訂單——雖然中微沒(méi)有明說(shuō),但是這家客戶(hù)就是臺積電,也只有他們量產(chǎn)了5nm工藝。

目前公司正在配合客戶(hù)需求,開(kāi)發(fā)新一代刻蝕設備和包括更先進(jìn)大馬士革在內的刻蝕工藝,能夠涵蓋5納米以下刻蝕需求和更多不同關(guān)鍵應用的設備。

在3D閃存領(lǐng)域,中微半導體電容性等離子體刻蝕設備可應用于64層的量產(chǎn),同時(shí)根據存儲器廠(chǎng)商的需求正在開(kāi)發(fā)新一代能夠涵蓋128層關(guān)鍵刻蝕應用以及相對應的極高深寬比的刻蝕設備和工藝。

此外,中微公司的電感性等離子刻蝕設備已在多個(gè)邏輯芯片和存儲芯片廠(chǎng)商的生產(chǎn)線(xiàn)上量產(chǎn)。

根據客戶(hù)的技術(shù)發(fā)展需求,正在進(jìn)行下一代產(chǎn)品的技術(shù)研發(fā),以滿(mǎn)足7納米以下的邏輯芯片、1X納米的DRAM芯片和128層以上的3D NAND芯片等產(chǎn)品的ICP刻蝕需求,并進(jìn)行高產(chǎn)出的ICP刻蝕設備的研發(fā)。