臺積電CEO：2nm工藝已有先導規劃

近日，全球第一大晶圓代工廠(chǎng)臺積電舉行了公司成立33周年慶典，董事長(cháng)、聯(lián)席CEO劉德音談到了臺積電的先進(jìn)工藝規劃，最先進(jìn)的2nm工藝也進(jìn)入了先導規劃中，明年則會(huì )量產(chǎn)5nm工藝。

劉德音談到了臺積電一年來(lái)的變化，稱(chēng)公司在“技術(shù)領(lǐng)先、卓越制造、客戶(hù)信任”三個(gè)方面都取得了進(jìn)步，其中7nm工藝N7已經(jīng)獨步全球兩年，產(chǎn)出了超過(guò)100萬(wàn)片12英寸晶圓，首發(fā)EUV工藝的N7+也在今年6月份正式量產(chǎn)。

再往后就是5nm節點(diǎn)，劉德音表示新竹的Fab 12、臺南的Fab 18工廠(chǎng)進(jìn)展順利，客戶(hù)也十分滿(mǎn)意，2020年就會(huì )量產(chǎn)。

至于研發(fā)、建設中的工藝，劉德音表示3nm工藝正在依照計劃進(jìn)行，而更先進(jìn)的2nm工藝也正式進(jìn)入了先導規劃階段，這也是今年6月份宣布研發(fā)2nm之后臺積電官方再一次明確2nm工藝的進(jìn)展。

根據臺積電之前的規劃，2nm工藝是一個(gè)重要節點(diǎn)，Metal Track(金屬單元高度)和3nm一樣維持在5x，同時(shí)Gate Pitch(晶體管柵極間距)縮小到30nm，Metal Pitch(金屬間距)縮小到20nm，相比于3nm都小了23％。

預計2nm工藝將在2024年完成，正式進(jìn)入量產(chǎn)階段，不過(guò)具體情況現在還不得而知。