國產(chǎn)芯片真金質(zhì)！基本半導體挑戰極限高溫測試“火”力全開(kāi)

挑戰驕陽(yáng)火焰山，何須芭蕉借又還。

國產(chǎn)芯片真金質(zhì)，不懼火煉過(guò)樓蘭。

——鄭廣州

國創(chuàng )中心副總經(jīng)理

8月14日，國家新能源汽車(chē)技術(shù)創(chuàng )新中心（簡(jiǎn)稱(chēng)“國創(chuàng )中心”）邀請基本半導體等13家國內整車(chē)和半導體企業(yè)的專(zhuān)家，實(shí)地開(kāi)展“中國車(chē)規半導體首批測試驗證項目吐魯番高溫試驗”活動(dòng)，并舉行了車(chē)規半導體測試驗證項目高溫測試技術(shù)研討會(huì )。

自2019年7月底開(kāi)始，國創(chuàng )中心攜搭載了國產(chǎn)自主硅基IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）、碳化硅二極管和碳化硅MOSFET（金屬-氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管）的4輛試驗車(chē)，在吐魯番進(jìn)行為期一個(gè)月的“極限高溫”測試項目，這也是國產(chǎn)車(chē)規半導體搭載驗證的試驗項目之一。

單車(chē)累計6000公里的高溫試驗，以驗證在高溫真實(shí)車(chē)況下，國產(chǎn)自主車(chē)規半導體的性能和可靠性表現。通過(guò)反復驗證國產(chǎn)車(chē)規半導體在各種極端情況下的質(zhì)量狀況和適應能力，并通過(guò)對標試驗，與國外競品進(jìn)行全項目對比分析，發(fā)現問(wèn)題并實(shí)施改進(jìn)措施，為最終助推國產(chǎn)自主車(chē)規半導體上車(chē)應用達成最高的安全保障。在測試同期舉辦的研討會(huì )上，與會(huì )專(zhuān)家對此次車(chē)規半導體測試驗證項目給予高度評價(jià)，共同探討半導體行業(yè)和汽車(chē)行業(yè)的產(chǎn)業(yè)合作模式。

為了推動(dòng)我國汽車(chē)產(chǎn)業(yè)可持續高質(zhì)量發(fā)展，保障我國建設世界汽車(chē)強國目標的盡早實(shí)現，培育和提升國產(chǎn)自主車(chē)規半導體企業(yè)的技術(shù)研發(fā)和質(zhì)量控制能力，助推國產(chǎn)自主車(chē)規半導體上車(chē)應用，國創(chuàng )中心秉承國家戰略要求，整合行業(yè)資源，聯(lián)合半導體行業(yè)的合作伙伴和汽車(chē)行業(yè)的專(zhuān)家共同開(kāi)展“國產(chǎn)自主車(chē)規半導體測試認證”項目。下一步，國創(chuàng )中心還將開(kāi)展國產(chǎn)自主車(chē)規半導體器件的試驗室測試、對標測試及整車(chē)搭載的高寒測試。

在此次測試中，試驗車(chē)搭載了基本半導體自主研發(fā)的碳化硅功率器件。基本半導體作為中國第三代半導體行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)、深圳第三代半導體研究院發(fā)起單位之一，旗下碳化硅器件產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋了外延制備、芯片設計、制造工藝、封裝測試、驅動(dòng)應用等環(huán)節?；景雽w先后推出650V/4A～40A、1200V/5A～50A、1700V/5A～20A的全電流電壓等級碳化硅二極管，通過(guò)工業(yè)級可靠性測試的1200V碳化硅MOSFET，以及車(chē)規級全碳化硅功率模塊等系列產(chǎn)品，性能對標國際一流半導體廠(chǎng)商的最新產(chǎn)品。

其中，高性能1200V 碳化硅MOSFET采用了平面柵碳化硅工藝，具有短路耐受時(shí)間長(cháng)、雪崩耐量高、反向擊穿電壓高和導通電阻低等特點(diǎn)，已小批量生產(chǎn)并廣泛應用在電機驅動(dòng)器、開(kāi)關(guān)電源、光伏逆變器和車(chē)載充電等領(lǐng)域；用于電動(dòng)汽車(chē)逆變器、對標特斯拉Model 3所采用器件的車(chē)規級全碳化硅MOSFET模塊已完成工程樣品開(kāi)發(fā)，將聯(lián)合國內主流車(chē)廠(chǎng)開(kāi)展測試。同時(shí)，基本半導體年內還與廣州廣電計量檢測股份有限公司達成戰略合作，加快推出首款符合AEC-Q101檢測標準的碳化硅肖特基二極管。

未來(lái)，基本半導體將繼續打造高質(zhì)量的國產(chǎn)車(chē)規級碳化硅功率器件，積極參與國內車(chē)規半導體標準體系和測試認證體系的建設，致力實(shí)現車(chē)規半導體的自主可控、國產(chǎn)替代。