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國產(chǎn)芯片真金質(zhì)！基本半導體挑戰極限高溫測試“火”力全開(kāi)

• 挑戰驕陽(yáng)火焰山，何須芭蕉借又還。國產(chǎn)芯片真金質(zhì)，不懼火煉過(guò)樓蘭?！崗V州國創(chuàng )中心副總經(jīng)理8月14日，國家新能源汽車(chē)技術(shù)創(chuàng )新中心（簡(jiǎn)稱(chēng)“國創(chuàng )中心”）邀請基本半導體等13家國內整車(chē)和半導體企業(yè)的專(zhuān)家，實(shí)地開(kāi)展“中國車(chē)規半導體首批測試驗證項目吐魯番高溫試驗”活動(dòng)，并舉行了車(chē)規半導體測試驗證項目高溫測試技術(shù)研討會(huì )。自2019年7月底開(kāi)始，國創(chuàng )中心攜搭載了國產(chǎn)自主硅基IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）、碳化硅二極管和碳化硅MOSFET（金屬-氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管）的4輛試驗車(chē)，在吐魯番進(jìn)行為期一個(gè)月的“極限高溫”
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