臺積電首秀7nm自研芯片：4核A72頻率高達4GHz

在本月初于日本東京舉辦的VLSI Symposium（超大規模集成電路研討會(huì )）期間，臺積電展示了自己設計的一顆小芯片（chiplet）This?；緟瞪?，This采用7nm工藝，4.4x6.2mm（27.28mm），CoWos（晶圓基底封裝），雙芯片結構，其一內建4個(gè)Cortex A72核心，另一內建6MiB三緩。

該芯片采用了一種雙芯片設計，這種技術(shù)可以通過(guò)添加額外的PHY來(lái)進(jìn)行擴展，芯片不同單元間以及不同芯片之間可以形成互聯(lián)。每個(gè)小芯片具有15個(gè)金屬層，模具本身僅為4.4毫米×6.2毫米（27.28mm）。臺積電采用了四個(gè)Arm Cortex-A72內核，針對turbo頻率大于4GHz電壓操作，配備了高性能單元（7.5T，3p + 3n）并定制設計1級高速緩存單元，這一模塊有兩個(gè)L2緩存塊，每個(gè)1MiB，這些是使用它們的高電流位單元實(shí)現的，并以半速運行。此外，還有一個(gè)大型的6MiB L3緩存，使用高密度位單元實(shí)現，并以四分之一速度運行。

在1.20的電壓下，Cortex內核可以達到4GHz，實(shí)測最高達到了4.2GHz（1.375V）。臺積電稱(chēng)，這款芯片是為高性能計算平臺設計，這也解釋其主頻為何如此驚人。