臺積電：絕大多數7nm客戶(hù)都會(huì )轉向6nm

不久前，臺積電官方宣布了6nm(N6)工藝節點(diǎn)，在已有7nm(N7)工藝的基礎上增強而來(lái)，號稱(chēng)可提供極具競爭力的高性?xún)r(jià)比，而且能加速產(chǎn)品研發(fā)、量產(chǎn)、上市速度。

臺積電CEO兼副董事長(cháng)魏哲家(CC Wei)最新披露，絕大多數7nm工藝客戶(hù)，都會(huì )轉向6nm工藝，使用率和量產(chǎn)產(chǎn)能都會(huì )迅速擴大。

考慮到6nm工藝沿用了7nm工藝的設計規則，升級遷移還是相當容易的，成本增加不大，性能功耗方面又有提升(雖然不會(huì )特別明顯)，客戶(hù)自然也樂(lè )得上新工藝，看起來(lái)這代工藝會(huì )相當流行。

臺積電現在的7nm工藝有兩個(gè)版本，第一代7nm(N7)采用傳統DUV光刻技術(shù)，第二代7nm+(N7+)則是首次加入EUV極紫外光刻，已進(jìn)入試產(chǎn)階段，預計下一代蘋(píng)果A、華為麒麟都會(huì )用，2019年兩者合計可貢獻大約25％的收入。

新的6nm工藝也有EUV極紫外光刻技術(shù)，相比7nm+(N7+)增加了一個(gè)極紫外光刻層，同時(shí)相比7nm(N7)可將晶體管密度提升18％，而且設計規則完全兼容7nm(N7)，便于升級遷移，降低成本，相比之下7nm+(N7+)則是另一套設計規則。

臺積電6nm預計2020年第一季度試產(chǎn)，再往后的5nm工藝也已經(jīng)開(kāi)始試產(chǎn)，號稱(chēng)相比于第一代7nm晶體管密度提升45％，可帶來(lái)15％的性能提升或20％的功耗下降。

事實(shí)上，臺積電預計多數7nm工藝客戶(hù)會(huì )轉向6nm然后再次升級到5nm，7nm+則不會(huì )那么普及，不少客戶(hù)可能會(huì )選擇跳過(guò)。