臺積電官宣6nm工藝！7nm加強版也有極紫外光刻

這幾年，曾經(jīng)執行業(yè)牛耳的Intel在新工藝方面進(jìn)展遲緩，10nm工藝遲遲無(wú)法規模量產(chǎn)，一個(gè)很關(guān)鍵的原因就是對技術(shù)指標要求高，投產(chǎn)難度大。

而在另一方面，臺積電、三星卻是一路高歌猛進(jìn)，除了技術(shù)方面的突破，還采取了更靈活的戰術(shù)，降低新工藝技術(shù)難度，并且每次稍加改進(jìn)就拿出一個(gè)新版本，讓人目不暇接。

比如臺積電的16nm是個(gè)重要節點(diǎn)，12nm則是在其基礎上升級優(yōu)化而來(lái)。三星就更亂了，除了14nm、10nm、7nm、5nm這些升級力度比較大的，還有11nm、8nm、6nm、4nm等一系列過(guò)渡版本。

近日，臺積電宣布5nm EUV工藝已經(jīng)開(kāi)始試產(chǎn)，相比7nm可將核心面積縮小45％，性能則可提升15％，同時(shí)三星5nm EUV工藝已經(jīng)設計完畢，相比7nm可將功耗降低20％，性能提高10％。

現在，臺積電又正式宣布了6nm(N6)工藝，在已有7nm(N7)工藝的基礎上大幅度增強，號稱(chēng)可提供極具競爭力的高性?xún)r(jià)比，而且能加速產(chǎn)品研發(fā)、量產(chǎn)、上市速度。

臺積電7nm工藝有兩個(gè)版本，第一代采用傳統DUV光刻技術(shù)，第二代則是首次加入EUV極紫外光刻，已進(jìn)入試產(chǎn)階段，預計下一代蘋(píng)果A、華為麒麟都會(huì )用。

新的6nm工藝也有EUV極紫外光刻技術(shù)，號稱(chēng)相比第一代7nm工藝可以將晶體管密度提升18％，同時(shí)設計規則完全兼容第一代7nm，便于升級遷移，降低成本。

臺積電6nm預計2020年第一季度試產(chǎn)，適合中高端移動(dòng)芯片、消費應用、AI、網(wǎng)絡(luò )、5G、高性能計算等。

Intel：14nm我改進(jìn)了一次又一次，也只是叫14nm+、14m++，臺積電、三星你們太過(guò)分了……