晶圓代工大亂斗，高端局只剩三星VS臺積電

　　晶圓代工領(lǐng)域10nm已成分水嶺，隨著(zhù)英特爾的10nm制程久攻不下，聯(lián)電和格芯相繼擱置7nm及以下先進(jìn)制程的研發(fā)后，10nm以下的代工廠(chǎng)中只有三星在繼續與臺積電拼刺刀。

　　10nm以上的晶圓代工市場(chǎng)則繼續由臺積電、英特爾、格芯和三星分食，而大陸最大晶圓代工廠(chǎng)中芯國際目前的14nm已進(jìn)入客戶(hù)導入階段，預計最快明年量產(chǎn)，屆時(shí)也會(huì )憑借14nm工藝進(jìn)入晶圓代工的第二梯隊中去。

　　務(wù)實(shí)的臺積電

　　10nm以下的先進(jìn)制程，臺積電和三星采取了不同的策略。

　　在7nm技術(shù)路線(xiàn)的選擇上，臺積電務(wù)實(shí)地在第一代放棄EUV(極紫外光刻)技術(shù)，同時(shí)馬上整合扇出封裝技術(shù)提升可靠度，最終使得自己的進(jìn)度超越三星，從而贏(yíng)下包括華為、AMD、蘋(píng)果等一眾關(guān)鍵客戶(hù)。與之前的10nmFinFET制程相比，臺積電的7nmFinFET實(shí)現了1.6倍的邏輯密度和20%的速度提升，以及40%的功耗減少。

　　在第二代7nm工藝(CLNFF+/N7+)，臺積電首次應用EUV，不過(guò)僅限四個(gè)非關(guān)鍵層，以降低風(fēng)險、加速投產(chǎn)，也借此熟練掌握ASML的新式光刻機TwinscanNXE。相較于第一代7nmDUV，臺積電表示能將晶體管密度提升20%，同等頻率下功耗可降低6-12%。

　　除了在市場(chǎng)上風(fēng)生水起的7nm技術(shù)，臺積電的5nm工藝也已被提上日程，明年四月將進(jìn)行風(fēng)險性試產(chǎn)。臺積電指出，5nm制程光是人工與知識產(chǎn)權的授權費用，加起來(lái)的總合成本就高達2到2.5億美元

　　激進(jìn)的三星

　　三星的策略是直入主題，搶進(jìn)EUV技術(shù)加持的7nm。

　　目前三星的7nmLPP(LowPowerPlus)制程已進(jìn)入量產(chǎn)階段，并在工藝中成功應用極紫外光(EUV)微影技術(shù)。7nmLPP工藝相比上一代10nmFinFET的面積減少了40%，性能提升20%，耗電減少50%，消耗的掩膜也減少了20%，因此，采用三星7nm工藝的客戶(hù)可以減輕設計和費用方面的負擔。

　　另外，位于韓國華城市的S3廠(chǎng)EUV產(chǎn)線(xiàn)已初步投產(chǎn)，三星計劃2020年將再新設一條EUV產(chǎn)線(xiàn)，以服務(wù)高需求客戶(hù)。預計三星的7nmLPP工藝的大規模投產(chǎn)會(huì )在明年下半年開(kāi)始，而7nmEUV的加強版——6nm制程，計劃在2020年以后出現。

　　難產(chǎn)的英特爾

　　埋頭苦干的英特爾對于三星和臺積電的這場(chǎng)較量也只能望塵興嘆。

　　英特爾10nm持續難產(chǎn)主要原因是過(guò)于堅持整合的模式，不同于對手選擇ARM架構，英特爾堅持利用制造能力創(chuàng )造更有效率的x86芯片。而在非通用處理器部分，英特爾GPU為L(cháng)arrabee架構，一樣是基于x86的圖形芯片，但卻沒(méi)有考量到不同應用環(huán)境所需GPU的性能差異。

　　盡管英特爾曾表示自己的10nm工藝遠超遠超友商臺積電和三星的7nm，但實(shí)際拿出的基于CannonLake的Corei3-8121U連核顯都沒(méi)有，同頻性能和能耗比甚至不如目前的14nm。