韓國政府將加大對芯片研發(fā)的支持 應對中國競爭對手崛起

　　北京時(shí)間7月20日韓聯(lián)社報道，韓國工業(yè)部長(cháng)白云揆(Paik Ungyu) 日前表示，韓國政府將加大對大型研發(fā)項目的支持，以開(kāi)發(fā)尖端內存芯片，應對中國競爭對手的崛起。

　　近兩年來(lái)，DRAM價(jià)格一路高歌猛進(jìn)，創(chuàng )下近30年來(lái)最大漲幅，而在這場(chǎng)漲價(jià)潮中三星電子、SK海力士、美光三大巨頭賺得盆滿(mǎn)缽滿(mǎn)。

　　芯片目前是韓國最大的出口產(chǎn)品，而中國是全球最大的芯片市場(chǎng)。2016年以來(lái)，中國相繼在武漢，南京、成都等城市投資建設半導體制造基地，投入資金達到700億美元之巨。這讓韓國政府和企業(yè)感到憂(yōu)慮，同時(shí)業(yè)界對韓國芯片行業(yè)前景開(kāi)始看淡。

　　韓國本土芯片制造商擔心，中國政府的舉措可能會(huì )以比預期更快地速度縮小與韓國的技術(shù)差距。屆時(shí)，如果產(chǎn)量得不到謹慎控制，將導致全球芯片價(jià)格暴跌。

　　“中國正加緊發(fā)展自己的半導體產(chǎn)業(yè)，縮小與韓國的差距，這還可能導致全球供應過(guò)剩，內存芯片價(jià)格的增速最近有所放緩，令人擔心超級周期正接近頂峰?！?白云揆(Paik Ungyu) 說(shuō)道：“政府正在考慮支持設計及生產(chǎn)下一代存儲芯片的大型項目，并計劃在今年下半年進(jìn)行初步可行性研究?！?/p>

　　雖然中國政府決心要改變本國半導體產(chǎn)業(yè)的現狀，但中國企業(yè)在技術(shù)層面與世界先進(jìn)水平還有較大差距。三星已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)第五代96層3D V-NAND閃存顆粒，而長(cháng)江存儲的32層NAND還在試產(chǎn)階段，良率也不盡人意。

　　另外，三星計劃在2019年內投入150億美元增加閃存產(chǎn)量，做好了打價(jià)格戰的準備。在這種情況下，中國的半導體企業(yè)僅靠政府的補貼和支持將難以與三星進(jìn)行長(cháng)期的抗爭。