3D SiC技術(shù)閃耀全場(chǎng)，基本半導體參展PCIM Asia引關(guān)注

　　6月26日-28日，基本半導體成功參展PCIM?Asia 2018上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì )。

　　基本半導體展臺以充滿(mǎn)科技感和未來(lái)感的藍白為主色調，獨有的3D SiC?技術(shù)和自主研發(fā)的碳化硅功率器件吸引了眾多國內外參展觀(guān)眾的眼球。

　　全球獨創(chuàng )3D SiC?技術(shù)

　　展會(huì )期間，基本半導體技術(shù)團隊詳細介紹了公司獨創(chuàng )的3D SiC?外延技術(shù)，該技術(shù)能夠充分利用碳化硅的材料潛力，通過(guò)外延生長(cháng)結構取代離子注入，使碳化硅器件在高溫應用中擁有更高的穩定性。優(yōu)良的外延質(zhì)量和設計靈活性也有利于實(shí)現高電流密度的高壓器件。

　　碳化硅肖特基二極管

　　基本半導體碳化硅肖特基二極管提供行業(yè)標準封裝，具有優(yōu)越的性能和極高的工作效率。其中650V、1200V和1700V 的肖特基二極管采用特有的嵌入式結構，反向漏電流比傳統結構低3個(gè)數量級，更利于高溫(250℃)環(huán)境下工作，抗浪涌電流能力強，正向壓降低，各項性能達到國際先進(jìn)水平。

　　碳化硅MOSFET

　　基本半導體碳化硅MOSFET具有低的 RDS(ON)，開(kāi)關(guān)性能優(yōu)良，可提高器件工作效率，減小芯片面積。同時(shí)能在更高的開(kāi)關(guān)頻率下，通過(guò)更低的熱損耗實(shí)現高效率。碳化硅 MOSFET可在電機驅動(dòng)器、開(kāi)關(guān)電源、光伏逆變器和UPS等領(lǐng)域廣泛使用。

　　基本半導體生產(chǎn)的碳化硅外延片低摻雜層厚度可高達250μm，具有極低的缺陷密度和高均勻性，可生產(chǎn)3.3千伏以上的高壓器件和1萬(wàn)伏以上的超高壓器件，主要應用于軌道交通、智能電網(wǎng)、醫療設備和國防軍工等領(lǐng)域。

　　此外，基本半導體研發(fā)的全碳化硅模塊和混封碳化硅模塊也在展會(huì )一一亮相，參觀(guān)人流絡(luò )繹不絕。

　　基本半導體副總經(jīng)理張振中博士在同期舉行的電力電子應用技術(shù)論壇發(fā)表主題演講，介紹公司高性能的3D SiC JBS Diode，吸引了眾多業(yè)內人士的關(guān)注，在演講結束后與張博士進(jìn)行了深入交流和探討。

　　PCIM Asia 2018已經(jīng)完美落幕，基本半導體將在推動(dòng)中國第三代半導體發(fā)展的征途中繼續揚帆起航，凝心聚力鑄就輝煌。