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3D SiC技術(shù)閃耀全場(chǎng)，基本半導體參展PCIM Asia引關(guān)注
- 6月26日-28日，基本半導體成功參展PCIM?Asia 2018上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì )?！ 』景雽w展臺以充滿(mǎn)科技感和未來(lái)感的藍白為主色調，獨有的3D SiC?技術(shù)和自主研發(fā)的碳化硅功率器件吸引了眾多國內外參展觀(guān)眾的眼球?！ ∪颡殑?chuàng )3D SiC?技術(shù) 展會(huì )期間，基本半導體技術(shù)團隊詳細介紹了公司獨創(chuàng )的3D SiC?外延技術(shù)，該技術(shù)能夠充分利用碳化硅的材料潛力，通過(guò)外延生長(cháng)結構取代離子注入，使碳化硅器件在高溫應用中擁有更高的穩定性。優(yōu)良的外延質(zhì)量和設計靈活性也有利于實(shí)現高電流密度的
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