看日本芯片發(fā)展史展中興未來(lái)——亞洲芯片先驅之國

　　之后，韓國一面繼續維持 DRAM 的生產(chǎn)大國地位，一面開(kāi)發(fā)用于數字電視、移動(dòng)電話(huà)等的 SOC，雙頭并進(jìn);而臺灣通過(guò)不斷增加投資，建成了世界一流的硅代工公司——臺積電和聯(lián)電，開(kāi)發(fā)了一種新的半導體制作模式，同時(shí)積極研發(fā)，在部分尖端技術(shù)上已經(jīng)可以與日本齊頭并進(jìn)。該階段，日本半導體產(chǎn)品品種較為單一，產(chǎn)品附加值低;同時(shí)未跟上世界技術(shù)潮流，日本半導體產(chǎn)業(yè)在該階段受到重創(chuàng )。截止2000年，日本DRAM份額已跌至不足10%。

　　如今21世紀轉型發(fā)展

　　Elpida外所有其他的日本半導體制造商均從通用DRAM領(lǐng)域中退出，將資源集中到了具有高附加值的系統集成芯片等領(lǐng)域。2000年NEC日立的DRAM部門(mén)合并，成立Elpida，東芝于2002年賣(mài)掉了設在美國的工廠(chǎng)，2003年Elpida合并了三菱電機的記憶體部門(mén)。但Elpida于2012年宣告破產(chǎn)，2013年被美光購并，標志著(zhù)日本在DRAM的競爭中徹底被淘汰。日本重新開(kāi)啟了三個(gè)較大型的“產(chǎn)官學(xué)”項目——MIRAI、ASUKA和 HALCA。三個(gè)項目都于2001年開(kāi)啟，以產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所的世界級超凈室(SCR)作為研發(fā)室，“ASUKA”項目由 NEC、日立、東芝等 13 家半導體廠(chǎng)家共同出資700億日元，時(shí)間為 2001-2005，主要研制電路線(xiàn)寬為 65 納米的半導體制造。

　　“MIRAI”項目時(shí)間為 2001～2007，由日本經(jīng)產(chǎn)省投資300億日元，由25家企業(yè)的研究所和20所大學(xué)的研究室共同研究，“HALCA”項目除進(jìn)行實(shí)用化制造技術(shù)的研究外，還要進(jìn)一步研究高速度、節省能源的技術(shù)。這三個(gè)項目從原理、基礎技術(shù)、實(shí)用技術(shù)到量產(chǎn)技術(shù)上相互協(xié)調、相互補充。此外，日本政府還實(shí)施了 SOC 基礎技術(shù)開(kāi)發(fā)項目(ASPLA)等，進(jìn)一步對之前的項目研究成果進(jìn)行再開(kāi)發(fā)。

　　作為全球最大的半導體材料生產(chǎn)國，2014年日本國內的半導體材料消費占 22%，日本同時(shí)也是全球最主要的半導體材料輸出國。大部分半導體材料出口到了亞太地區的其他國家。目前雖然半導體產(chǎn)業(yè)開(kāi)始了第三次轉移，逐步轉移到以中國為主的更具備生產(chǎn)優(yōu)勢的地區。

　　雖然日本人歷史上，對于我們國家進(jìn)行了難以饒恕的罪行，但是日本的科技發(fā)展水平尤其是芯片的發(fā)展，是我們應該學(xué)習和借鑒的，面對新技術(shù)的鉆研和開(kāi)發(fā)，是我們現階段科技公司應該共同去努力和建設的。

　　日本芯片發(fā)展對于我國的啟示

　　第一、 開(kāi)展海外研發(fā)，合作開(kāi)發(fā)

　　1980s 時(shí)期，日本半導體廠(chǎng)商紛紛在國外建立研發(fā)基地，通過(guò)進(jìn)行聯(lián)合開(kāi)發(fā)而與美國的大用戶(hù)建立了良好的信任關(guān)系。但1990s年后期，隨著(zhù)行業(yè)景氣度下降，日本半導體企業(yè)開(kāi)始對國外的研發(fā)基地進(jìn)行整合與撤銷(xiāo)，一方面技術(shù)水平開(kāi)始被新興市場(chǎng)趕超，另一方面和美國大客戶(hù)的信任關(guān)系也受到破壞，更加降低了日本半導體企業(yè)的國際市場(chǎng)份額。而日本半導體材料企業(yè)一直維持這海外研發(fā)、合作研發(fā)的優(yōu)良傳統，保持了技術(shù)上的領(lǐng)先性和這種信任關(guān)系，因此日本半導體材料企業(yè)迄今依然占領(lǐng)著(zhù)國際市場(chǎng)較大的份額。

　　第二、 順應市場(chǎng)趨勢，及時(shí)轉型發(fā)展

　　日本半導體公司過(guò)去一直采用的 IDM 模式，但進(jìn)入上世紀九十年代后，Fabless+Foundry 模式更適應世界半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，而日本未及時(shí)從傳統的 IDM模式向輕型化進(jìn)行轉型。日本對于整個(gè)科技行業(yè)的反應速度還是很快的，當需要產(chǎn)業(yè)進(jìn)行轉型時(shí)，會(huì )果斷的轉型，這樣的順應時(shí)代潮流的經(jīng)營(yíng)模式，不會(huì )出現被出局、被淘汰的問(wèn)題，對于整個(gè)行業(yè)是一種無(wú)形的推動(dòng)力量。

　　第三、政府加大扶持，重視人才的培養

　　我國半導體材料行業(yè)在發(fā)展初期可以通過(guò)引進(jìn)國外先進(jìn)技術(shù)進(jìn)行趕超，但從長(cháng)遠的發(fā)展來(lái)看，還是需要學(xué)習日本半導體企業(yè)的自主研發(fā)、自主生產(chǎn)的原則。以官方為主導，各企業(yè)與研究機構共同聯(lián)合研究，攻關(guān)大型基礎研究項目，開(kāi)發(fā)關(guān)鍵技術(shù)，擴大具有自主知識產(chǎn)權的半導體材料產(chǎn)品的比例，為產(chǎn)業(yè)中企業(yè)的發(fā)展提供平臺。各企業(yè)先合作開(kāi)發(fā)好關(guān)鍵技術(shù)后，各企業(yè)再各自進(jìn)行商業(yè)化。

　　在芯片等高科技領(lǐng)域，日本經(jīng)過(guò)多年的投入、研發(fā)、技術(shù)、人才的積累，使其在這一產(chǎn)業(yè)上游有著(zhù)很強的話(huà)語(yǔ)權，要想強大，是沒(méi)有捷徑可走的，我國也必須吸收先進(jìn)的經(jīng)驗和理念，扎扎實(shí)實(shí)地做好每個(gè)環(huán)節地工作，才能真正把設備和材料水平搞上去，才可以擺脫大國的控制，真正地做到中國制造，made in China!