中國研發(fā)新型存儲芯片：性能快了100萬(wàn)倍

　　相比三星、東芝、美光等公司，中國現在DRAM內存、NAND閃存技術(shù)上要落后多年，不過(guò)中國的科研人員也一直在追趕最新一代技術(shù)，前不久有報道稱(chēng)中國投資130億元開(kāi)建PCM相變內存，性能是普通存儲芯片的1000倍，現在更厲害的來(lái)了——復旦大學(xué)微電子學(xué)院教授張衛、周鵬帶領(lǐng)的團隊研發(fā)了一種新的二維非易失性存儲芯片，他們使用了半導體結構，研發(fā)的存儲芯片性能優(yōu)秀，是傳統二維存儲芯片的100萬(wàn)倍，而且性能更長(cháng)，刷新時(shí)間是內存的156倍，也就是說(shuō)具備更強的耐用性。

　　DIY玩家應該知道內存、閃存各自的優(yōu)缺點(diǎn)——內存速度極快，但是斷電就會(huì )損失數據，而且成本昂貴，閃存的延遲比內存高一個(gè)量級，但好處就是能保存數據，同時(shí)成本更低，所以業(yè)界一直在尋找能同時(shí)具備內存、閃存優(yōu)點(diǎn)的存儲芯片，也就是能保存數據的同時(shí)具備極快的速度。

　　英特爾研發(fā)的3D XPoint閃存就有類(lèi)似的特性， 號稱(chēng)性能是閃存的1000倍，耐用性是閃存的1000倍，前面新聞提到的PCM相變存儲也是類(lèi)似的技術(shù)，能夠在斷電時(shí)保存數據同時(shí)性能類(lèi)似內存，只不過(guò)這些新型存儲芯片現在還沒(méi)有達到內存、閃存這樣成熟的地步。

　　中國學(xué)者研發(fā)的存儲芯片也是這個(gè)方向的，根據他們發(fā)表在《自然·納米技術(shù)》雜志上的論文來(lái)看，他們研發(fā)的存儲芯片使用的不是傳統芯片的場(chǎng)效應管原理，因為后者在物理尺寸逐漸縮小的情況下會(huì )遇到量子效應干擾，所以張衛、周鵬團隊使用的是半浮柵極(semi-floating gate)晶體管技術(shù)，他們據此展示一種具有范德·瓦爾斯異質(zhì)結構的近非易失性半浮柵極結構，這種新型的存儲芯片具備優(yōu)異的性能及耐用性。

　　具體來(lái)說(shuō)，與DRAM內存相比，它的數據刷新時(shí)間是前者的156倍，也就是能保存更長(cháng)時(shí)間的數據，同時(shí)具備納秒(ns)級的寫(xiě)入速度(NAND閃存的延遲一般在毫秒級)，與傳統二維材料相比其速度快了100萬(wàn)倍。，所以這種新型內存有望縮小傳統內存與閃存之間的差距。

　　當然，這個(gè)技術(shù)進(jìn)展還是很不錯的，只是別指望技術(shù)很快量產(chǎn)，更不可能在未來(lái)兩三年內進(jìn)入市場(chǎng)，但凡同時(shí)具備DRAM、NAND優(yōu)點(diǎn)的新型存儲芯片都有這個(gè)問(wèn)題，并沒(méi)有成熟到量產(chǎn)上市的地步，傳統內存、閃存還有很長(cháng)的壽命。