格芯擴展硅光子路線(xiàn)圖，滿(mǎn)足對數據中心連接的爆炸式增長(cháng)需求

　　今天，格芯揭示硅光子路線(xiàn)圖的新信息，推動(dòng)數據中心和云應用的新一代光學(xué)互連。格芯已經(jīng)用300 mm晶圓認證了行業(yè)首個(gè)90 nm制造工藝，同時(shí)宣布未來(lái)的45 nm技術(shù)將帶來(lái)更大的帶寬和能效。

　　格芯的硅光子技術(shù)旨在應對全球通信基礎設施中的大規模數據增長(cháng)。不同于利用銅線(xiàn)電信號傳輸數據的傳統互連，硅光子技術(shù)使用光纖光脈沖，以更高的速度在更遠距離上傳輸數據并降低能耗。

　　“帶寬需求呈現爆炸式增長(cháng)，現在迫切需要新一代的光學(xué)互連?！?nbsp;格芯ASIC業(yè)務(wù)部高級副總裁Mike Cadigan表示，“不管是數據中心內部芯片之間，還是相隔千里的云服務(wù)器之間，我們的硅光子技術(shù)都能讓客戶(hù)在前所未有的連接水平上傳送大量數據?！?/p>

　　格芯的硅光子技術(shù)可在單個(gè)硅芯片上并排集成微小光學(xué)組件與電路?！皢涡酒狈桨咐脴藴使柚圃旒夹g(shù)，提高了客戶(hù)部署光學(xué)互連系統的效率，降低了成本。

　　現在可使用300 mm晶圓

　　格芯的當代硅光子產(chǎn)品依托90 nm RF SOI工藝，這項工藝充分發(fā)揮了公司在制造高性能射頻(RF)芯片方面積累的一流經(jīng)驗。平臺可以實(shí)施提供30GHz帶寬的解決方案，支持客戶(hù)端數據傳輸速率達到800 Gbps，同時(shí)使數據傳輸距離增加到120 km。

　　這項技術(shù)先前使用200 mm晶圓工藝，格芯位于紐約州東菲什基爾的10號晶圓廠(chǎng)現在認證了300 mm直徑的晶圓。采用300 mm晶圓有助于提高客戶(hù)產(chǎn)能和生產(chǎn)率，讓光子損失減少2倍，擴大覆蓋范圍，實(shí)現效率更高的光學(xué)系統。

　　Cadence Design Systems公司用于E/O/E、協(xié)同設計、極化、溫度和波長(cháng)參數的完整PDK支持90 nm技術(shù)，并提供差異化光子測試能力，包括從技術(shù)認證和建模到MCM產(chǎn)品測試的五個(gè)測試部分。

　　未來(lái)路線(xiàn)圖

　　格芯新一代單芯片硅光子產(chǎn)品將采用45 nm RF SOI工藝，計劃于2019年投入生產(chǎn)。這項技術(shù)利用更先進(jìn)的45 nm節點(diǎn)，功耗降低，體積減小，用于光學(xué)收發(fā)器產(chǎn)品的帶寬更高，可滿(mǎn)足新一代兆兆位應用。