三星半導體資本支出超過(guò)英特爾和臺積電的總和達到260億美元

　　預計三星今年的資本支出將達到260億美元，超過(guò)英特爾和臺積電的總和。

　　ICInsights已經(jīng)修改了半導體行業(yè)的資本支出預估，本月底將會(huì )發(fā)布新的報告。ICInsights最新的預測顯示，今年半導體行業(yè)資本支出增長(cháng)35%，達到908億美元。

　　去年，三星在半導體行業(yè)的資本支出為113億美元，預計2017年該業(yè)務(wù)支出將翻一番達到260億美元。ICInsights總裁BillMcClean表示：“在我關(guān)注半導體行業(yè)的37年里，從沒(méi)見(jiàn)過(guò)今年如此猛烈的半導體資本支出增長(cháng)勢頭。今年三星在半導體行業(yè)的巨額開(kāi)支是史無(wú)前例的。”

　　圖1顯示了自2010年以來(lái)三星半導體業(yè)務(wù)的資本投入情況，這一年也是該公司第一次在半導體資本支出上超過(guò)100億美元。在2016年投入113億美元之后，預計今年的資本支出激增比例讓人驚訝。

　　三星的開(kāi)支計劃到底有多么兇猛?ICInsights預計，三星2017年第四季度的半導體資本支出為86億美元，將占到整個(gè)半導體行業(yè)的33%(整個(gè)行業(yè)第四季度支出預計達到262億美元)。同時(shí)，三星在第四季度的半導體銷(xiāo)售額占整個(gè)行業(yè)的16%左右。

　　ICInsight預估的三星今年260億美元半導體資本支出分為以下幾個(gè)部分：

　　3DNANDflash：140億美元(包括在平澤工廠(chǎng)的產(chǎn)能大幅增長(cháng))

　　DRAM：70億美元(為了彌補因遷移而造成的產(chǎn)能損失)

　　代工/其他：50億美元(用于提升10納米制程能力)

　　ICInsights認為，今年三星的巨額支出將對未來(lái)產(chǎn)生很大影響，3DNAND閃存市場(chǎng)可能會(huì )出現產(chǎn)能過(guò)剩情況，這種產(chǎn)能過(guò)剩一方面是因為三星在3DNAND閃存市場(chǎng)的巨額投資，另一方面如SK海力士、美光、東芝、英特爾等公司對這一細分市場(chǎng)的投資激增導致。從某種程度上來(lái)說(shuō)，三星的競爭對手必須提高產(chǎn)能否則將失去部分市場(chǎng)份額。

　　三星的投資熱預計也成為中國3DNAND閃存或DRAM相關(guān)企業(yè)的噩夢(mèng)，此前ICInsights一直對中國初創(chuàng )企業(yè)對抗諸如三星、SK海力士、美光的3DNAND和DRAM技術(shù)持懷疑態(tài)度。如今三星在資本支出上的瘋狂成了自己市場(chǎng)地位的保證，如果中國企業(yè)不能和現有的大型存儲進(jìn)行合作，那么未來(lái)很難有更強的競爭力。