Intel 64層閃存率先商用10nm：晶體管密度增2.7倍

　　Intel這幾年制造工藝的推進(jìn)緩慢頗受爭議，而為了證明自己的技術(shù)先進(jìn)性，Intel日前在北京公開(kāi)展示了10nm工藝的CPU處理器、FPGA芯片，并宣稱(chēng)同樣是10nm，自己要比對手領(lǐng)先一代，還透露了未來(lái)7nm、5nm、3nm工藝規劃。

　　按照目前的消息，CannonLake將是Intel的第一款10nm工藝處理器，但在它之前，FalconMesaFPGA可編程芯片會(huì )更早使用10nm。

　　不過(guò)據最新報道，Intel10nm的第一站，其實(shí)是NAND閃存，而且是64層堆疊的3D閃存。

　　至于為何在閃存上首先使用新工藝，很大可能是因為NAND閃存結構相對簡(jiǎn)單，基本上就是海量同類(lèi)晶體管堆積，相比之下CPU處理器就復雜多了，使用新工藝風(fēng)險很大——這也是Intel14nm、10nm屢屢推遲的一個(gè)因素。

　　目前還不清楚Intel10nm閃存的具體情況，但肯定是首先用于數據中心市場(chǎng)，等成本下來(lái)了再推到消費級領(lǐng)域。

　　按照Intel的說(shuō)法，10nm工藝使用了FinFET(鰭式場(chǎng)效應晶體管)、HyperScaling(超縮微)技術(shù)，可將晶體管密度提升2.7倍，結果自然可以大大縮小芯片面積，對閃存來(lái)說(shuō)當然就能極大地提升容量。