做強中國芯 華虹宏力無(wú)錫建12英寸晶圓廠(chǎng)2年后投產(chǎn)

　　中國半導體產(chǎn)業(yè)建設又添一樁喜訊，8月2日下午，上海華虹(集團)有限公司與無(wú)錫市人民政府在無(wú)錫舉行戰略合作協(xié)議簽約儀式，總投資約100億美元的華虹集團集成電路研發(fā)和制造基地項目正式落戶(hù)無(wú)錫高新區，標志著(zhù)華虹集團在上海以外的第一個(gè)集成電路研發(fā)制造基地的開(kāi)局。

　　據報道，華虹宏力，由原上海華虹NEC電子有限公司和上海巨集力半導體制造有限公司合并而成，為具備8寸晶圓代工技術(shù)的純晶圓代工廠(chǎng)商。目前，華虹宏力在上海張江和金橋共有3條8寸晶圓生產(chǎn)線(xiàn)，月產(chǎn)能為15.5萬(wàn)片，技術(shù)制程自1微米到90納米之間。主要生產(chǎn)的產(chǎn)品為標準邏輯、嵌入式非易失性存儲器、電源管理元件、功率元件、射頻、模擬和混合信號元件等。

　　在國內，半導體芯片的進(jìn)口額多年來(lái)遠超石油，國產(chǎn)芯片的占比則只有約10%左右。“缺芯之痛”一直是制約國內電子信息產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展的一大瓶頸。特別是一些高端芯片，如存儲器、中央處理器等，更是幾乎完全要依賴(lài)進(jìn)口。

　　正是為提升半導體芯片國產(chǎn)化率，擺脫產(chǎn)業(yè)嚴重受制于人的局面，2014年國家發(fā)布了《集成電路發(fā)展規劃綱要》，并成立逾千億規模的國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金，這些政策都為國內集成電路產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了新的機遇和信心。

　　半導體產(chǎn)業(yè)鏈通常包括設計、制造、封裝測試等環(huán)節。華虹宏力作為芯片代工企業(yè)，伴隨其自身發(fā)展的同時(shí)，也有效帶動(dòng)了上下游企業(yè)的發(fā)展。

　　此次上海華虹集團和無(wú)錫市政府簽約推動(dòng)的合作項目將分期建設數條12英寸集成電路芯片生產(chǎn)線(xiàn)。其中一期項目將建設一條月產(chǎn)能約4萬(wàn)片的12英寸生產(chǎn)線(xiàn)以及相關(guān)配套設施。首期項目實(shí)施后，將適時(shí)啟動(dòng)第二條生產(chǎn)線(xiàn)建設。

　　華虹宏力積極在萬(wàn)物互聯(lián)浪潮下，市場(chǎng)戰略布局和技術(shù)發(fā)展規劃轉趨積極。日前上海華虹(集團)有限公司董事長(cháng)、上海市集成電路行業(yè)協(xié)會(huì )會(huì )長(cháng)張素心曾表示，承擔建設國家“909”工程以來(lái)，華虹集團已建成200mm和300mm兩大制造平臺和國家級集成電路研發(fā)中心，芯片產(chǎn)品廣泛應用于電子信息產(chǎn)業(yè)各領(lǐng)域，未來(lái)將持續朝向自主可控、做大做強集成電路制造業(yè)邁進(jìn)。

　　目前華虹宏力較受認可的芯片代工領(lǐng)域包括嵌入式非易失性存儲器(eNVM)、功率器件及電源管理技術(shù)等，并積極布局微控制器(MCU)、新能源汽車(chē)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。

　　而在技術(shù)發(fā)展路線(xiàn)圖方面，隨著(zhù)90納米嵌入式NVM技術(shù)的成功開(kāi)發(fā)，目前華虹宏力越來(lái)越多的智能卡客戶(hù)產(chǎn)品持續導入至90納米工藝技術(shù)。華虹宏力也繼續開(kāi)發(fā)包括射頻絕緣體上硅(SOI)器件在內的射頻相關(guān)技術(shù)，以滿(mǎn)足持續增長(cháng)的智能手機的市場(chǎng)需求以及未來(lái)5G蜂窩通信的發(fā)展及應用。

　　在工藝平臺上，涵蓋了SONOS嵌入式閃存和EEPROM工藝、浮柵型嵌入式閃存及EEPROM工藝、硅基射頻工藝、功率器件工藝、電源管理IC工藝以及設計服務(wù)與IP支持，從IP、IC設計服務(wù)、EDA工具、光罩制造等產(chǎn)品和服務(wù)提供晶圓代工較完整的解決方案。

　　值得一提的是，華虹宏力已在智能卡和物聯(lián)網(wǎng)方面耕耘多年，擁有突出的嵌入式非易失性存儲器技術(shù)。有SONOSFlash和SuperFlash技術(shù)，以及eFlash+高壓和eFlash+射頻(RF)兩個(gè)衍生工藝平臺，技術(shù)節點(diǎn)涵蓋0.18微米到90納米。同時(shí)還可為客戶(hù)提供高性能、高密度的標準單元庫，并可根據不同需求為客戶(hù)定制高速度、低功耗、超低靜態(tài)功耗的嵌入式閃存IP、嵌入式電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)IP，減小低功耗設計難度。