砸15億美元強化4nm制程 三星能保住芯片領(lǐng)導地位？

　　三星電子(Samsung Electronics)正準備布局全球「第四次工業(yè)革命」浪潮趨勢，將量產(chǎn)為智能型與連網(wǎng)裝置所開(kāi)發(fā)的更快速且更高效芯片，以期鞏固該公司的全球芯片領(lǐng)導地位。

　　作為這項策略的一部分，據韓媒FNTIMES報導，三星宣布將5年投資約15億美元于其位于美國德州奧斯汀(Austin)的晶圓制造廠(chǎng)房，欲強化其4納米制程技術(shù)，被視為是三星傾向以此強化其系統LIS芯片業(yè)務(wù)以及存儲器芯片業(yè)務(wù)，借以預先為未來(lái)第四波工業(yè)革命時(shí)代對各類(lèi)系統單芯片(SoC)需求成長(cháng)預做布局準備。

　　據Wccftech網(wǎng)站等報導，三星盤(pán)據全球行動(dòng)半導體領(lǐng)域龍頭地位已有一段時(shí)間，自從高通(Qualcomm)Snapdragon 810處理器出現問(wèn)題而三星拒絕在產(chǎn)品線(xiàn)中采用后，高通便改成為三星的一般客戶(hù)，從那時(shí)起兩家業(yè)者便開(kāi)啟一段長(cháng)期、密切且復雜的合作關(guān)系，同時(shí)也合作生產(chǎn)SoC。

　　但最新傳言指出，高通下一代行動(dòng)處理器能將轉由臺積電代工生產(chǎn)，如果屬實(shí)意味將打破高通與三星的多年緊密合作關(guān)系，也導致三星必須加速自有下世代制程與節點(diǎn)的布局。

　　近期三星已投資購置兩臺極紫外光(EUV)微影機臺，這將有助三星廠(chǎng)房在生產(chǎn)6納米制程上，速度比其它競爭對手任何廠(chǎng)房都還來(lái)得快速。

　　未來(lái)除了藉投資德州奧斯汀廠(chǎng)房達到其預計到了2020年投入4納米制程技術(shù)的目標外，也將有助三星在發(fā)展物聯(lián)網(wǎng)(IoT)及相關(guān)新興科技芯片上站穩發(fā)展基礎。

　　三星已推出一個(gè)全面的晶圓制程技術(shù)產(chǎn)品規劃藍圖，目標改善制程技術(shù)至更復雜的水平，三星晶圓業(yè)務(wù)執行副總裁Yoon Jong-shik表示，導入新制程技術(shù)將有助更新型態(tài)連網(wǎng)裝置的問(wèn)世。

　　值得注意的是，4月再傳出三星可能將推出一款全新MRAM Memory存儲器芯片，適合于2018年新推出裝置搭載，這將標志著(zhù)新的技術(shù)突破。至于三星這次投資德州奧斯汀廠(chǎng)房與蘋(píng)果可能采用三星革命性eMRAM芯片是否具有關(guān)聯(lián)性，將值得觀(guān)察。

　　除了持續進(jìn)行先進(jìn)制程技術(shù)投資，三星也加緊努力強化其在全球存儲器芯片市場(chǎng)的龍頭地位。三星位于韓國京畿道平澤市的全新NAND芯片生產(chǎn)廠(chǎng)房將于6月底開(kāi)始運轉，以滿(mǎn)足市場(chǎng)上不斷成長(cháng)的需求及協(xié)助緩解當前供貨短缺問(wèn)題。

　　三星打算在2017年底前將擴大其最新V-NAND芯片生產(chǎn)規模，達到該公司每月NAND生產(chǎn)量5成比重以上。另外，三星也已開(kāi)始量產(chǎn)專(zhuān)為物聯(lián)網(wǎng)平臺開(kāi)發(fā)的Exynos i T200處理器。

　　據德州一份在地研究顯示，三星在美國芯片生產(chǎn)子公司Samsung Austin Semiconductor于2015年貢獻德州中部區域經(jīng)濟達36億美元，以及為當地創(chuàng )造近1.1萬(wàn)個(gè)工作機會(huì )以及4.98億美元年薪規模。自1997年創(chuàng )立以來(lái)，三星已投資超過(guò)160億美元在擴張與維護德州奧斯汀廠(chǎng)房上。