臺積電重返內存市場(chǎng) 瞄準MRAM和RRAM

　　晶圓代工大廠(chǎng)臺積電和三星的競爭，現由邏輯芯片擴及內存市場(chǎng)。臺積電這次重返內存市場(chǎng)，瞄準是訴求更高速及低耗電的MRAM和RRAM等次世代內存，因傳輸速度比一般閃存快上萬(wàn)倍，是否引爆內存產(chǎn)業(yè)的新潮流，值得密切關(guān)注。

　　臺積電技術(shù)長(cháng)孫元成日前在臺積電技術(shù)論壇，首次揭露臺積電研發(fā)多年的eMRAM(嵌入式磁阻式隨機存取內存)和eRRAM(嵌入式電阻式內存)分別訂明后年進(jìn)行風(fēng)險性試產(chǎn)，主要采用22奈米制程，這將是臺積電因應物聯(lián)網(wǎng)、行動(dòng)裝置、高速運算計算機和智能汽車(chē)等四領(lǐng)域所提供效能更快速和耗電更低的新內存。

　　這也是臺積電共同執行長(cháng)魏哲家向法人表達不會(huì )跨足標準型內存，不會(huì )角逐東芝分割成立半導體公司股權后，臺積電再次說(shuō)明內存的戰策布局，將瞄準效能比一般DRAM和儲存型閃存(NANDFlash)的MRAM和RRAM。

　　稍早三星電子也在一場(chǎng)晶圓廠(chǎng)商論壇中發(fā)表該公司所研發(fā)的MRAM。三星目前也是全球中率先可提供此次世代內存產(chǎn)品的內存廠(chǎng)，產(chǎn)品技術(shù)時(shí)程大幅領(lǐng)先臺積電，三星的MRAM并獲恩智浦導入。

　　據了解，臺積電早在2000年就和工研院合作投入MRAM等次世代內存研發(fā)，多年來(lái)因難度高，商業(yè)化和競爭力遠不如DRAM，導致多家廠(chǎng)商都都僅限于研發(fā)。

　　內存業(yè)者表示，次世代內存中，投入研發(fā)的廠(chǎng)商主要集中MRAM、RRAM及相變化內存(PRAM)等三大次世代內存，其中以MRAM的處理速度最快，但也是最難量產(chǎn)的內存類(lèi)型。

　　不過(guò)，在DRAM和NANDFlash制程已逼近極限，包括無(wú)人車(chē)、AI人工智能、高階智能型手機和物聯(lián)網(wǎng)等要求快速演算等功能，是臺積電認為商機即將成熟并決定在2018及2019年提供相關(guān)嵌入及整合其他異質(zhì)芯片技術(shù)，進(jìn)行商業(yè)化量產(chǎn)。