全球晶圓廠(chǎng)設備支出持續攀升，明年大陸支出將超臺灣

　　隨著(zhù)如大陸與韓國等地持續對晶圓廠(chǎng)設備進(jìn)行投資，預計全球晶圓廠(chǎng)設備支出將會(huì )出現自1990年代中期以來(lái)，首次連續3年(2016~2018年)成長(cháng)榮景。此外，2018年大陸地區支出將會(huì )超越臺灣，成為僅次于韓國的全球第二大市場(chǎng)。

　　根據國際半導體設備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )(SEMI)最新預估，2016~2018年全球晶圓設備支出將會(huì )分別年增11%、15%與8%。2017年全球支出將達462億美元，2018年則會(huì )成長(cháng)到498億美元。

　　此外，預計將在2017年進(jìn)行安裝的282處晶圓設備中，有11處設備支出會(huì )超過(guò)10億美元，而在2018年計劃安裝的270處設備中，也有12處設備支出會(huì )超過(guò)10億美元。

　　資料顯示，各地晶圓設備支出主要是用在于制造3D NAND與DRAM存儲器、微處理器(MPU)，以及晶圓代工等設備上。其他如LED和功率元件等離散(Discrete)半導體、邏輯芯片、微機電(MEMS)與射頻(RF)芯片，以及模擬/混合信號芯片等生產(chǎn)設備上的投資，也會(huì )增加。

　　就區域而言，預計2017年大陸地區支出將為67億美元(48處晶圓設施)，低于韓國的121億美元，以及臺灣的107億美元，為全球第三大晶圓設備市場(chǎng)。不過(guò)，隨著(zhù)2018年大陸各地晶圓廠(chǎng)新建或擴廠(chǎng)計劃陸續完工，預計當年大陸晶圓設備支出將會(huì )大幅揚升，達到100億美元(49處晶圓設施)。超越當年臺灣的95億美元，成為僅次于韓國128億美元的第二大市場(chǎng)。

　　其他如歐洲與中東，以及韓國地區，2017年晶圓設備支出將會(huì )分別年增47%與45%。日本與美洲地區支出也會(huì )年增28%與21%。