勇敢的心：“中國芯”不息的發(fā)展雄心

　　“互聯(lián)網(wǎng)核心技術(shù)是我們最大的‘命門(mén)’，核心技術(shù)受制于人是我們最大的隱患?！?a class="contentlabel" href="http://dyxdggzs.com/news/listbylabel/label/芯片">芯片是這一旨在振興中國技術(shù)行業(yè)的戰略的最后一處弱點(diǎn)。2016年中國集成電路進(jìn)口金額高達2296億美元，出口集成電路金額635億美元，進(jìn)出口逆差1661億美元。目前一直著(zhù)力發(fā)展半導體行業(yè)。

　　國家政策的大力支持

　　國家層面十分重視目前我國半導體市場(chǎng)自給不足，供需失衡的問(wèn)題，先后頒布多個(gè)政策文件、成立了國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金，意在做大做強中國集成電路產(chǎn)業(yè)。

　　十三五規劃期間，無(wú)論晶圓代工或封裝測試，大陸IC制造產(chǎn)能將大幅成長(cháng)，結合“物聯(lián)網(wǎng)+”與“中國制造2025”概念，處理器、現場(chǎng)可程式化閘陣列(FPGA)、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)與信息安全相關(guān)芯片、存儲器等IC設計企業(yè)獲得政策大力支持。

　　中央政府對半導體產(chǎn)業(yè)于財稅優(yōu)惠相關(guān)政策主要延續十二五規劃期間的國發(fā)(2011)4號文與財稅(2012)27號文。中央政府在IC企業(yè)資格認定與支持領(lǐng)域通過(guò)以半導體產(chǎn)業(yè)投資基金以直接入股方式，對大陸半導體企業(yè)給予財政支持或協(xié)助購并國際大廠(chǎng)。

　　根據SEMI 最新研究數據表示，當前中國大陸正掀起興建晶圓廠(chǎng)的熱潮，預估2017 年時(shí)，中國興建晶圓廠(chǎng)的支出金額將超過(guò)40 億美元，占全球晶圓建廠(chǎng)支出總金額的70%。而到2018年，中國建造晶圓廠(chǎng)相關(guān)支出更將成長(cháng)至100 億美元，而其中又將以晶圓代工占其總支出的一半以上。

　　“國家大基金”負責人丁文武介紹，過(guò)去兩年多來(lái)，總共決策投資了43個(gè)項目，累計項目承諾投資額818億元，實(shí)際出資超過(guò)560億元。實(shí)施項目覆蓋了集成電路設計、制造、封裝測試、裝備、材料、生態(tài)建設等各環(huán)節，實(shí)現了產(chǎn)業(yè)鏈上完整布局。

　　斥巨資緣由成本高

　　集成電路產(chǎn)業(yè)的特色是贏(yíng)者通吃，像Intel這樣的巨頭，巔峰時(shí)期的利潤可以高達60%。芯片的成本包括芯片的硬件成本和芯片的設計成本。芯片硬件成本包括晶片成本、掩膜成本、測試成本、封裝成本四部分還包括像ARM陣營(yíng)的IC設計公司要支付給ARM設計研發(fā)費以及每一片芯片的版稅，而且還要除去那些測試封裝廢片。

　　從二氧化硅到市場(chǎng)上出售的芯片，要經(jīng)過(guò)制取工業(yè)硅、制取電子硅、再進(jìn)行切割打磨制取晶圓。晶圓是制造芯片的原材料，晶片成本可以理解為每一片芯片所用的材料(硅片)的成本。晶片成本占比最高。

　　值得一提的是中科院微電子所集成電路先導工藝研發(fā)中心在下一代新型FinFET邏輯器件工藝研究上取得重要進(jìn)展。微電子所殷華湘研究員的課題組利用低溫低阻NiPt硅化物在新型FOI FinFET上實(shí)現了全金屬化源漏(MSD)，顯著(zhù)降低源漏寄生電阻，從而將N/PMOS器件性能提高大約30倍，使得驅動(dòng)性能達到了國際先進(jìn)水平。

　　封裝是將基片、內核、散熱片堆疊在一起，起著(zhù)安放、固定、密封、保護芯片和增強電熱性能的作用，芯片上的接點(diǎn)用導線(xiàn)連接到封裝外殼的引腳上，這些引腳又通過(guò)印制板上的導線(xiàn)與其他器件建立連接。故而封裝對CPU和其他LSI集成電路都起著(zhù)重要的作用。封裝成本就是這個(gè)過(guò)程所需要的資金。若產(chǎn)量巨大，封裝成本一般占硬件成本的5%-25%左右。

　　測試可以鑒別出每一顆處理器的關(guān)鍵特性，比如最高頻率、功耗、發(fā)熱量等，并決定處理器的等級，不過(guò)，如果芯片產(chǎn)量足夠大的話(huà)，測試成本可以忽略不計。

　　掩膜或稱(chēng)光罩(mask)這一部分是流程銜接的關(guān)鍵部分，是流程中造價(jià)最高的一部分，也是限制最小線(xiàn)寬的瓶頸之一。成本就是采用不同的制程工藝所需要的成本，像40/28nm的工藝已經(jīng)非常成熟，成本也低——40nm低功耗工藝的掩膜成本為200萬(wàn)美元;28nm SOI工藝為400萬(wàn)美元;28nm HKMG成本為600萬(wàn)美元。不過(guò)在先進(jìn)的制程工藝問(wèn)世之初，耗費則頗為不菲。制造一顆芯片需要十幾塊不同的掩膜，所以芯片制造初期投入非常大。芯片量產(chǎn)后，成本相對來(lái)說(shuō)就比較低了，好的掩膜可以同時(shí)生產(chǎn)上百塊芯片。芯片如果出貨量很大，利潤還是非常高的，但如果出貨量很少，那芯片平均制造成本就高得嚇人，幾百萬(wàn)美元打水漂是很正常的。

　　重大挑戰與機遇

　　過(guò)去兩年，中國半導體產(chǎn)業(yè)布局飛速發(fā)展，國家政策大力支持，地方政府重金投資，尤其面向臺灣地區、美國、歐洲的整合，引發(fā)海內外諸多警惕。

　　法媒稱(chēng)，在美國新任總統正式就任前兩天，中國以“真金白銀”的方式展現了同美國競爭而且是在最尖端科技領(lǐng)域同美國競爭的雄心。中國清華紫光集團將在南京投資超過(guò)300億美元建立半導體產(chǎn)業(yè)基地以保證世界第二大經(jīng)濟體在這一戰略性行業(yè)中的獨立性。

　　中國半導體業(yè)早在10多年前就苦苦尋求制造業(yè)為基礎的突破口，自2014年起在全球掀起了收購熱潮，在早期的時(shí)候，在收購ISSI和豪威的時(shí)候取得了不錯的成果，但一系列的并購引起了美國等政府的警惕，中國未來(lái)的收購將會(huì )變得越來(lái)越艱難。

　　隨著(zhù)特朗普的就任，中美對立將會(huì )加劇從而可能令中國的半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展遇到更大挑戰。近期美國新任總統川普不斷攻擊中國的貿易行為。中國官方已經(jīng)尋求美國貿易團體等管道，向西方媒體發(fā)聲，希望透過(guò)不同方式對美國新政府喊話(huà)。工信部電子司副司長(cháng)彭紅兵借助媒體回應說(shuō)，針對中國半導體產(chǎn)業(yè)的布局，美國沒(méi)必要太過(guò)緊張，中國不希望與美國發(fā)生沖突，畢竟目前許多相關(guān)計劃都還在初期擬定階段。

　　美國希望保有這些技術(shù)，但中國也希望能夠自給自足，建立制造能力。貿易政策專(zhuān)家何偉文表示，“國有企業(yè)在這一領(lǐng)域進(jìn)行收購將會(huì )極端困難?！钡?025年，中國希望能夠滿(mǎn)足本國市場(chǎng)70%的需求而非像目前這樣僅能滿(mǎn)足10%的需求，這一雄心壯志的實(shí)現還要頗具破折。