紫光700億美元國內建造三大存儲芯片廠(chǎng)

　　閃存、內存市場(chǎng)這一年來(lái)遇到了好時(shí)機，來(lái)自中國廠(chǎng)商的需求使得存儲芯片市場(chǎng)從降價(jià)變成了缺貨漲價(jià)，直到今年Q1季度都會(huì )持續上漲。閃存漲價(jià)也讓三星、SK Hynix、美光等公司過(guò)了好日子，三星去年Q3季度在Note 7上的損失在Q4季度就被閃存漲價(jià)彌補回來(lái)了。中國缺少NAND閃存自主生產(chǎn)能力是個(gè)大問(wèn)題，好在紫光集團已經(jīng)在布局了，將在武漢、南京、成都三地建設存儲芯片廠(chǎng)，總投資700億美元，2018年將量產(chǎn)國產(chǎn)3D NAND閃存。

　　紫光集團收購新芯公司之后，在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地已經(jīng)不是新聞了，這兩年來(lái)時(shí)常見(jiàn)諸媒體報道。Digitimes也報道稱(chēng)湖北武漢市(原文打錯成了河北省)的工廠(chǎng)占地面積13公頃，近日已經(jīng)開(kāi)工，預計2018年正式量產(chǎn)3D NAND閃存。

　　不過(guò)武漢只是紫光存儲芯片布局的一部分，2017年在四川成都、江蘇南京還有兩個(gè)大計劃，投資超過(guò)460億美元，早前我們報道過(guò)前聯(lián)電CEO孫世偉加盟紫光擔任副總，他負責的就是成都晶圓廠(chǎng)，投資超過(guò)1200億人民幣。

　　武漢的240億美元加上成都、南京460億美元的投資，紫光建設三大存儲芯片基地的投資將超過(guò)700億美元，人民幣接近5000億元，放眼全球也是大手筆投資了，以致于美國都在政府顧問(wèn)報告中指出中國發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)將降低美國企業(yè)競爭力，甚至影響美國國家安全。

　　除了存儲芯片之外，紫光集團還在尋求進(jìn)入邏輯IC芯片制造領(lǐng)域，也就是說(shuō)存儲芯片針對的是三星、美光、東芝這些公司，而邏輯芯片制造則是針對Intel、TSMC、三星LSI等公司了。