新挑戰者中芯國際能否動(dòng)搖臺積電霸主地位？

　　相較之下，臺積電用自己的資金自行建造工廠(chǎng)，不但讓國際大廠(chǎng)愿意將先進(jìn)制程交由臺積電代工而不用擔心其商業(yè)機密被盜取、更能充分發(fā)揮產(chǎn)線(xiàn)產(chǎn)能。

　　不過(guò)真正讓曹興誠砸掉整個(gè)宏圖霸業(yè)、從此聯(lián)電再也追趕不上臺積電的分水嶺，還在于1997年的一場(chǎng)大火，與2000年聯(lián)電與IBM的合作失敗。

　　我們在前述中提到，聯(lián)電的每個(gè)晶圓廠(chǎng)都是獨立的公司，「聯(lián)瑞」就是當時(shí)聯(lián)電的另一個(gè)新的八吋廠(chǎng)。在建廠(chǎng)完后的兩年多后，1997年的八月開(kāi)始試產(chǎn)，第二個(gè)月產(chǎn)就沖到了三萬(wàn)多片。該年10月，聯(lián)電總經(jīng)理方以充滿(mǎn)企圖心的口吻表示：「聯(lián)電在兩年內一定干掉臺積電!」不料兩日后，一把人為疏失的大火燒掉了聯(lián)瑞廠(chǎng)房?；馂牟粌H毀掉了百億廠(chǎng)房，也讓聯(lián)瑞原本可以為聯(lián)電賺到的二十億元營(yíng)收泡湯，更錯失半導體景氣高峰期、訂單與客戶(hù)大幅流失，是歷史上臺灣企業(yè)火災損失最嚴重的一次，也重創(chuàng )了產(chǎn)險業(yè)者、賠了100多億，才讓臺灣科技廠(chǎng)房與產(chǎn)險業(yè)者興起風(fēng)險控制與預防的意識，此為后話(huà)不提。

　　在求新求快的半導體產(chǎn)業(yè)，只要晚別人一步將技術(shù)研發(fā)出來(lái)、就是晚一步量產(chǎn)將價(jià)格壓低，可以說(shuō)時(shí)間就是競爭力。在聯(lián)瑞被燒掉的那時(shí)刻，幾乎了確定聯(lián)電再也無(wú)法追上臺積電。

　　2000 年與IBM的合作，對聯(lián)電來(lái)說(shuō)又是一次重擊，卻是臺積電翻身的關(guān)鍵。

　　隨著(zhù)半導體元件越來(lái)越小、導線(xiàn)層數急遽增加，使金屬連線(xiàn)線(xiàn)寬縮小，導體連線(xiàn)系統中的電阻及電容所造成的電阻/電容時(shí)間延遲(RC Time Delay)，嚴重的影響了整體電路的操作速度。要解決這個(gè)問(wèn)題有二種方法──一是采用低電阻的銅當導線(xiàn)材料;從前的半導體制程采用鋁，銅的電阻比鋁還低三倍。二是選用Low-K Dielectric (低介電質(zhì)絕緣)作為介電層之材料。在制程上，電容與電阻決定了技術(shù)。

　　當時(shí)的IBM發(fā)表了銅制程與Low-K材料的0.13微米新技術(shù)，找上臺積電和聯(lián)電兜售。該時(shí)臺灣半導體還沒(méi)有用銅制程的經(jīng)驗，臺積電回去考量后，決定回絕IBM、自行研發(fā)銅制程技術(shù);聯(lián)電則選擇向IBM買(mǎi)下技術(shù)合作開(kāi)發(fā)。然而IBM的技術(shù)強項只限于實(shí)驗室，在制造上良率過(guò)低、達不到量產(chǎn)。到了2003 年，臺積電0.13 微米自主制程技術(shù)驚艷亮相，客戶(hù)訂單營(yíng)業(yè)額將近55億元，聯(lián)電則約為15億元。再一次，兩者先進(jìn)制程差異拉大，臺積電一路躍升為晶圓代工的霸主，一家獨秀。

　　Nvidia 執行長(cháng)兼總裁黃仁勛說(shuō)：「0.13微米改造了臺積電?！?/p>

　　現在的聯(lián)電在最高端制程并未領(lǐng)先，策略上專(zhuān)注于12 吋晶圓的40以下納米、尤其28納米，和8吋晶圓成熟制程。除了電腦和手機外，如通訊和車(chē)用電子芯片，幾乎都采用成熟制程以控制良率、及提供完善的IC給予客戶(hù)。聯(lián)電積極利用策略性投資布局多樣芯片應用，例如網(wǎng)路通訊、影像顯示、PC等領(lǐng)域，針對較小型IC設計業(yè)者提供多元化的解決方案，可是說(shuō)是做臺積電不想做的利基市場(chǎng)。

　　臺積電的28納米制程早在2011年第4季即導入量產(chǎn)。反觀(guān)聯(lián)電28納米制程遲至2014年第2季才量產(chǎn)，足足落后臺積電長(cháng)達2年半時(shí)間。在28納米的基礎上聯(lián)電仍得和臺積電競爭客戶(hù)，故在28納米需求疲軟時(shí)臺積電仍能受惠于先進(jìn)制程、而聯(lián)電將面臨不景氣的困境。近來(lái)競爭趨烈，中芯也已在2015 年下半量產(chǎn)28 納米，故聯(lián)電計畫(huà)跳過(guò)20納米，原因在于20納米制程在半導體上有其物理局限，可說(shuō)是下一個(gè)節點(diǎn)的過(guò)渡制程，效果在于降低功耗，效能上突破不大，因此下一個(gè)決勝節點(diǎn)會(huì )是16/14納米制程。

　　聯(lián)電預計在2017年上半年開(kāi)始商用生產(chǎn)14納米FinFET芯片，以趕上臺積電與三星，然而在隨著(zhù)制程越趨先進(jìn)，所需投入的資本及研發(fā)難度越大，聯(lián)電無(wú)法累積足夠的自有資本，形成研發(fā)的正向循環(huán)，未來(lái)將以共同技術(shù)開(kāi)發(fā)、授權及策略聯(lián)盟的方式來(lái)彌補技術(shù)上的缺口。

　　二、最大的威脅者——三星

　　由李秉喆創(chuàng )立的韓國三星集團是世界上最大的一家由家族控制的商業(yè)帝國，早期出口干魚(yú)、蔬菜、水果到中國東北去。1970年代生產(chǎn)洗衣機、冰箱、電視機等家電， 1980年代開(kāi)始引進(jìn)美國先進(jìn)技術(shù)并和韓國半導體公司完成合并，家電、電信與半導體成為三星電子的核心業(yè)務(wù)。

　　三星的晶圓代工事業(yè)的發(fā)展之所以能成功，蘋(píng)果可以說(shuō)是一股最主要的助力。三星是動(dòng)態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)和快閃記憶體(NAND)的領(lǐng)導廠(chǎng)商，全球市占率達15.5%。故其始終掌握著(zhù)iPhone的記憶體關(guān)鍵零組件，比如iPhone 4使用的快閃記憶體芯片來(lái)自三星、iPad顯示器也是由三星生產(chǎn)。

　　再加上三星的電子產(chǎn)品，使用的是自家生產(chǎn)的處理器、如Exynos獵戶(hù)座;為了獲得蘋(píng)果的資源發(fā)展晶圓產(chǎn)業(yè)、同時(shí)不讓自己的產(chǎn)能過(guò)剩(若處理器僅用在三星自身產(chǎn)品上會(huì )有多余產(chǎn)能)，其晶圓代工幾乎是用成本價(jià)吃掉蘋(píng)果單、記憶體打包一起折扣賣(mài)，來(lái)幫自己的晶圓代工練兵。

　　從iPhone的第一代芯片開(kāi)始，蘋(píng)果一直向三星采購ARM架構的芯片。2010年蘋(píng)果自主研發(fā)的A4芯片被搭載在iPad上正式發(fā)表、隨后又搭載在iPhone 4中。A4處理器雖出自蘋(píng)果，三星自家發(fā)表的S5PC100處理器和A4芯片上采用的內核一模一樣，兩款芯片的電路設計上可以說(shuō)是同一批人馬。后續的A5、A6、A7也都是三星生產(chǎn)。

　　不過(guò)蘋(píng)果和三星在代工處理上的關(guān)系，直到三星在A(yíng)ndroid智慧型手機與蘋(píng)果的iOS開(kāi)始起了摩擦。2011年蘋(píng)果正式起訴三星GALAXY系列產(chǎn)品抄襲iPhone和iPad、三星又反起訴蘋(píng)果侵犯其10項技術(shù)專(zhuān)利，蘋(píng)果與三星的專(zhuān)利訴訟戰幾乎遍及全世界。

　　臺積電之所以一直沒(méi)辦法獲得蘋(píng)果訂單，是由于臺積電報價(jià)強硬，而蘋(píng)果迫使臺積電接受與三星同樣的成本價(jià)、另一方面是當時(shí)臺積電廠(chǎng)房產(chǎn)能已經(jīng)滿(mǎn)載，無(wú)法接下蘋(píng)果如此大量的訂單。后來(lái)蘋(píng)果因與三星爭訟、力行「去三星化」政策，且三星在20納米制程的良率無(wú)法突破，最后只用來(lái)生產(chǎn)自家Exynos 5430(用在GALAXY A8)與Exynos 5433(用在GALAXY Note 4);臺積電20納米制程領(lǐng)先三星，同時(shí)臺積電已經(jīng)將產(chǎn)能擴張完畢，最后才由臺積電首度拿下iPhone 6的A8處理器全部訂單。從另一方面而言，此舉也是蘋(píng)果試著(zhù)掌握議價(jià)權的策略──蘋(píng)果樂(lè )于見(jiàn)到兩家代工廠(chǎng)的競爭，讓價(jià)格成了比拼芯片效能外的最佳籌碼。

　　三星原先還在苦惱20納米制程的良率問(wèn)題，忽然間竟直接殺到14納米制程了。造成這個(gè)驚人轉變的關(guān)鍵因素，在于臺積電內部所發(fā)生的泄密問(wèn)題。

　　梁孟松是加州大學(xué)柏克萊分校電機博士，畢業(yè)后曾在美商超微(AMD)工作幾年，在1992年返臺加入臺積電。臺積電在2003年擊敗IBM、一舉揚名全球的0.13微米銅制程一役，其中便有他的功績(jì)。

　　2009年，梁孟松因研發(fā)副總升遷不上的問(wèn)題、憤而離開(kāi)研發(fā)部門(mén)，帶走了自己的一組人馬投奔南韓。接下來(lái)的幾年，三星的制程突然研發(fā)快速進(jìn)步，從48、32、28納米的間隔時(shí)間急遽縮短，且三星的電晶體制程與臺積電的差異快速減少。合理來(lái)說(shuō)，三星的技術(shù)源自于IBM，其電晶體應是圓盤(pán)U狀，而非臺積電所獨有的棱形結構特征，但到了14納米制程，在結構上幾乎已經(jīng)與臺積電無(wú)異，據臺積電委托外部專(zhuān)家所制作的對比分析報告指出，若單從結構上來(lái)看，已經(jīng)無(wú)法分辨兩種晶圓是來(lái)自于臺積電或是三星所制造，幾乎可以斷定是擅長(cháng)FinFET技術(shù)的梁孟松將營(yíng)業(yè)秘密泄露給了三星。

　　2014年5月，法院判定梁孟松直至2015年12月31日前不得進(jìn)入南韓三星工作。臺灣法院從未限制企業(yè)高階主管在競業(yè)禁止期限結束之后，還不能到競爭對手公司工作，可以說(shuō)是個(gè)歷史性的判決。