存儲器深陷“缺芯之痛” 芯片國產(chǎn)化之路任重道遠

　　存儲器芯片是智能手機、平板電腦、可穿戴設備等各種智能終端產(chǎn)品不可或缺的關(guān)鍵器件。然而，我國一直是全球集成電路領(lǐng)域最大貿易逆差國。為打破“缺芯之痛”，國內多地開(kāi)始斥巨資布局存儲器芯片研發(fā)生產(chǎn)領(lǐng)域。

　　在國家政策刺激下，2016年各地紛紛傳出加碼存儲芯片的聲音：北京有紫光集團宣布300億美元做存儲器，武漢有武漢新芯準備耗資240億美元打造國家級存儲器基地，合肥放言要打造IC之都，福建晉華也在躍躍欲試。

　　盡管從2016年第二季度起存儲器行業(yè)的產(chǎn)品價(jià)格出現了回升，但是行業(yè)整體仍然處于周期性底部的位置，市場(chǎng)主要廠(chǎng)商三星、海力士、美光等在資本開(kāi)支產(chǎn)能擴張方面仍然較為謹慎，而在智能移動(dòng)終端需求、數據中心服務(wù)器需求以及固態(tài)影片需求帶動(dòng)的情況，DRAM和NANDFlash市場(chǎng)均有逐步從供過(guò)于求向供給不足轉移的趨勢，而在這種行業(yè)周期性底部有轉變趨勢的情況下，中國大陸地區的逆周期投資有望推動(dòng)國內廠(chǎng)商成為市場(chǎng)內崛起的新生力量。

　　據介紹，存儲器芯片是智能手機、平板電腦、可穿戴設備等各種智能終端產(chǎn)品不可或缺的關(guān)鍵器件。然而，我國一直是全球集成電路領(lǐng)域最大貿易逆差國，每年進(jìn)口額超過(guò)兩千億美元，其中，存儲器芯片是國內集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的主要短板，長(cháng)期以來(lái)市場(chǎng)一直被海外巨頭牢牢把握。以動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器和閃存兩種主要存儲芯片為例，今年第一季度，DRAM市場(chǎng)93%份額由韓國三星、海力士和美國美光科技三家占據，而閃存市場(chǎng)幾乎全部被三星、海力士、東芝、閃迪、美光和英特爾等六家瓜分。

　　大力發(fā)展存儲器不僅是市場(chǎng)需求，同時(shí)也是信息安全和產(chǎn)業(yè)安全的戰略需要。存儲器產(chǎn)業(yè)芯片國產(chǎn)化之路邁出的重要一步芯片國產(chǎn)化是中國政府在信息安全自主可控政策領(lǐng)域的實(shí)踐領(lǐng)域之一，作為信息技術(shù)的基礎產(chǎn)業(yè)，半導體集成電路持續受到國家政策的扶持，近期從國家層面到地方層面的政策及資本的持續也是持續不斷。

　　國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金總裁丁文武表示，應該把發(fā)展存儲器芯片作為國家戰略來(lái)實(shí)施。為打破“缺芯之痛”，國內多地開(kāi)始斥巨資布局存儲器芯片研發(fā)生產(chǎn)領(lǐng)域。目前，北京、武漢、晉江等地發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)的積極性高漲，各種資金也加速向這一領(lǐng)域匯集。

　　充沛的資金支持和巨大的內需市場(chǎng)，以及業(yè)已形成的本土化集成電路產(chǎn)業(yè)生態(tài)，為國內企業(yè)進(jìn)軍存儲器芯片領(lǐng)域提供了發(fā)展基礎。但不容忽視的是，存儲器芯片面臨高技術(shù)壁壘和激烈的全球化競爭，之前就有許多涉足存儲器芯片領(lǐng)域的廠(chǎng)商最后被迫退出市場(chǎng)的先例。

　　國內企業(yè)在當前新形勢下發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)，不應只是簡(jiǎn)單追趕，而要更加注重技術(shù)原創(chuàng )和市場(chǎng)創(chuàng )新;應做好長(cháng)期準備，在資金上確保持續投入;另外，更為關(guān)鍵的是，要在立足自身市場(chǎng)特點(diǎn)的基礎上追求世界領(lǐng)先水平。

　　清華大學(xué)微電子研究所所長(cháng)魏少軍認為，做存儲器芯片不能四面開(kāi)花，一定要集中力量辦大事。同時(shí)，發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)一定要遵循市場(chǎng)規律，要淡化“政府主導”的思路，誰(shuí)的市場(chǎng)能力強，就由誰(shuí)來(lái)主導。魏少軍預計，10年之后，中國自有存儲器規模應該力爭達到250億美元，在國際上做到四分天下有其一，在國內占據半壁江山。