單芯片內存條或將推出
Tessera Technologies, Inc.旗下全資子公司Invensas Corporation今天宣布,將在本月中旬的Intel舉辦舊金山秋季IDF 2011上展示自己的新型多die面朝下內存封裝技術(shù)“xFD”,比傳統的雙die封裝形式(DDP)更進(jìn)一步。也許在未來(lái)的某一天,我們將能夠看到只有兩顆乃至一顆芯片的內存條了。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/201609/304736.htmxFD全稱(chēng)multi-die face-down,是一種基于焊線(xiàn)(wirebond)的多die封裝技術(shù),將多顆DRAM IC以面朝下的方式封裝在一顆芯片內,并采用類(lèi)似windows-BGA封裝的短焊線(xiàn)結構,號稱(chēng):
- 提升容量,整體元件尺寸比傳統方案縮小25-35%,主要是垂直高度大大降低;
- 增強電氣性能,同時(shí)因為上下die性能均衡而可將良品率提升50-70%;
- 比傳統雙die封裝(DDP)熱傳輸效率提升20-30%。
xFD技術(shù)現在有兩種形式,一是“DFD”(Dual Face Down),單芯片封裝兩顆x4/x8/x16 DRAM die,其中x4/x8版本采用104 BGA封裝,尺寸11.5×11.5毫米,x16版本采用136 BGA封裝,尺寸11.5×11.5毫米或者11.5×14毫米。
二是“QFD”(Quad Face Down),單芯片封裝四顆x8/x15 DRAM die,256 BGA封裝,尺寸16.2×16.2毫米。
如果你擔心這種封裝下的內存性能的話(huà),Invensas公司宣稱(chēng)其可在2133MHz高頻率下運行,而且經(jīng)過(guò)了完全調試和認證。
Invensas xFD封裝技術(shù)主要面向服務(wù)器、數據中心、筆記本和其它移動(dòng)設備,但何時(shí)能夠出現在市面上還不得而知。
評論