瑞薩和臺積電合作開(kāi)發(fā)自動(dòng)駕駛汽車(chē)用MCU
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瑞薩電子和臺積電(TSMC)于2016年9月1日宣布，將以新一代環(huán)保汽車(chē)及自動(dòng)駕駛汽車(chē)為對象，合作開(kāi)發(fā)采用28nm工藝的MCU。該28nm車(chē)載用MCU計劃2017年開(kāi)始樣品供貨，2020年開(kāi)始由臺積電實(shí)施量產(chǎn)。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/201609/296470.htm在90nm以后工藝方面，兩公司在委托制造以及內置閃存的MCU的開(kāi)發(fā)方面建立了緊密的合作關(guān)系。從4年前開(kāi)始在40nm工藝的MCU平臺方面開(kāi)展共同開(kāi)發(fā)及委托制造的合作(本站報道)，此次雙方將把合作范圍擴大至28nm工藝MCU的共同開(kāi)發(fā)。
在此次合作中，雙方將把瑞薩的MONOS(Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon)構造的混載閃存技術(shù)與臺積電的28nm High-K金屬柵極技術(shù)相融合，開(kāi)發(fā)全球首例28nm MCU。該MCU適用于廣泛的車(chē)載應用程序，可覆蓋以自動(dòng)駕駛為對象的傳感器控制、整合化的ECU、以新一代環(huán)保車(chē)為對象的高環(huán)保性低燃耗發(fā)動(dòng)機，以及用于電動(dòng)汽車(chē)的高效率電機逆變器等領(lǐng)域。
該28nm MCU與瑞薩現行的40nm MCU相比，可實(shí)現最大約4倍以上的程序存儲容量和4倍以上的高性能，能夠滿(mǎn)足新一代車(chē)載應用方面的多種要求。比如，通過(guò)配備大容量閃存，不僅可極為細致地符合各國的環(huán)保規定及性能指標要求，而且還可支持以無(wú)線(xiàn)方式向安全性更高的控制程序實(shí)施更新的技術(shù)(Over The Air: OTA)。
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