中國電子芯片產(chǎn)業(yè)集中爆發(fā) 三星/臺積電搶著(zhù)代工

　　韓國三星電子(Samsung)近日在上海舉辦技術(shù)論壇，本次會(huì )議主要議題是宣布其新的晶圓代工策略，同時(shí)也是為爭取大陸IC設計廠(chǎng)代工訂單。三星指出，預計今年底10納米可以上線(xiàn)，7納米制程將采用最先進(jìn)的極紫外光(EUV)微影技術(shù)，并將針對物聯(lián)網(wǎng)及汽車(chē)電子提供低功耗的28納米FD-SOI制程。

　　同時(shí)，三星原本只生產(chǎn)自有芯片的8寸晶圓廠(chǎng)，現在也將開(kāi)放并爭取模擬IC或LCD驅動(dòng)IC等晶圓代工訂單。

　　臺灣晶圓代工廠(chǎng)臺積電、聯(lián)電、力晶等已分別以獨資或合資方式在大陸建造晶圓代工廠(chǎng)，三星電子在中國的最大投資是西安的閃存制造廠(chǎng)，并沒(méi)有在大陸設立晶圓代工廠(chǎng)的計劃。

　　三星的晶圓代工晶圓廠(chǎng)主要有三個(gè)廠(chǎng)址，包括位于韓國的8寸晶圓廠(chǎng)S1、位于美國得州的12寸晶圓廠(chǎng)S2、以及位于韓國京畿道華城市的12寸晶圓廠(chǎng)S3。另外，三星也將與臺積電一樣，提供后段封測服務(wù)。而三星預估今年包含晶圓代工的月產(chǎn)能將達13.5～14萬(wàn)片12寸晶圓及19萬(wàn)片8寸晶圓，且預估至2017年底產(chǎn)能將擴充約15%。

　　隨著(zhù)臺積電宣布今年底將量產(chǎn)10納米制程，2018年開(kāi)始量產(chǎn)7納米制程，三星也在技術(shù)論壇中說(shuō)明先進(jìn)制程布局，包括今年底可望開(kāi)始進(jìn)行10納米試產(chǎn)，但將跳過(guò)采用浸潤式微影技術(shù)的7納米，直接推出采用EUV微影技術(shù)的7納米，預計至2018年底EUV技術(shù)可在250W光源下每天生產(chǎn)1500片晶圓。三星認為，7納米采用EUV可以更好控制成本，有助于爭取先進(jìn)制程晶圓代工訂單。

　　三星認為在中國國內的移動(dòng)支付、無(wú)人機、電動(dòng)車(chē)、自駕車(chē)等供應鏈有很好的創(chuàng )新，也將帶來(lái)新機會(huì )，所以除了支持先進(jìn)制程，也將在明年第二季開(kāi)始，提供可支持物聯(lián)網(wǎng)及汽車(chē)電子的28納米FD-SOI制程。同時(shí)，三星也將開(kāi)放8寸廠(chǎng)產(chǎn)能，配合本身在內存市場(chǎng)的優(yōu)勢提供65納米嵌入式閃存(eFlash)制程，以及70納米高壓制程，爭取大陸市場(chǎng)模擬IC、CMOS圖像感測器、LCD驅動(dòng)IC等代工訂單。