東芝將發(fā)展64層3D NAND Flash與晶圓代工

　　東芝(Toshiba)2015日本會(huì )計年度(2015年4月至2016年3月，以下簡(jiǎn)稱(chēng)年度)半導體事業(yè)營(yíng)收不僅較2014年度衰退6.9%，為1.11兆日圓(約100億美元)，且營(yíng)業(yè)利益由盈轉虧，營(yíng)損率為6.4%。DIGITIMES Research觀(guān)察，東芝為求2016年度轉虧為盈，在2016年3月開(kāi)始量產(chǎn)48層堆疊3D NAND Flash，更計劃供應價(jià)格低于15奈米平面型的64層堆疊產(chǎn)品，同時(shí)成立系統LSI新公司Japan Semiconductor Corp.(JSC)，尋求承接以類(lèi)比IC為主的晶圓代工機會(huì )，但短期仍以制造東芝系統LSI產(chǎn)品為主。

　　2015年度東芝以NAND Flash為主的記憶體營(yíng)收較2014年度衰退1.8%，為8,456億日圓，已連續2年呈現下滑，對照2013~2015年全球NAND Flash龍頭廠(chǎng)三星電子(Samsung Electronics)營(yíng)收持續成長(cháng)，東芝在三星進(jìn)駐大陸西安設廠(chǎng)、且三星于3D NAND Flash發(fā)展腳步較快的情況下，面臨相當大的競爭壓力。

　　展望2016年度，東芝預測其來(lái)自記憶體營(yíng)收將年減11%，僅7,466億日圓，記憶體營(yíng)益率亦將自13%下滑至3.3%。為改善營(yíng)運，東芝將加速發(fā)展垂直堆疊架構BiCS(Bit Cost Scalable) NAND Flash，不僅已量產(chǎn)的48層堆疊3D NAND Flash成本將接近15奈米平面型產(chǎn)品，更計劃以低于15奈米平面型的價(jià)格，量產(chǎn)64層堆疊3D NAND Flash。

　　在記憶體以外的半導體事業(yè)方面，2015年度東芝系統LSI與離散元件因在財報不實(shí)范圍內，需認列損失，此兩部門(mén)合計營(yíng)損率達到49.3%，成東芝整體半導體事業(yè)虧損主因，東芝已訂2016年度此兩部門(mén)轉為營(yíng)益率1.6%的目標，將透過(guò)提升JSC產(chǎn)能利用率，及主攻具市場(chǎng)成長(cháng)性的離散元件產(chǎn)品等方式，達成2016年度其整體半導體事業(yè)盈余目標。

　　東芝2009~2016年度半導體事業(yè)營(yíng)收變化及預測

　　注：東芝以西元年第2季至隔年第1季為其會(huì )計年度。

　　資料來(lái)源：東芝，DIGITIMES整理，2016/6