2016年臺積電三星英特爾資本支出預計增5.4%

　　由于終端市場(chǎng)需求趨緩，在供給提升速度大于需求成長(cháng)速度下，TrendForce旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究所預估2016年全球晶圓代工產(chǎn)值年成長(cháng)僅2.1%，半導體大廠(chǎng)的競爭將更加激烈。

　　估計2016年三大半導體制造大廠(chǎng)資本支出金額預期較2015年成長(cháng)5.4%，其中，英特爾(Intel)調升30%達95億美元、臺積電(TSMC)調升17%達95億美元，三星(Samsung)則逆勢調降15%，來(lái)到115億美元。拓墣表示，今年半導體大廠(chǎng)的資本支出預計至2017年才有機會(huì )對營(yíng)收產(chǎn)生貢獻。

　　臺積電2016年有三大投資重點(diǎn)

　　拓墣表示，在上述半導體三巨頭，中臺積電是唯一的純晶圓代工廠(chǎng)，與客戶(hù)無(wú)直接競爭關(guān)系，可專(zhuān)注于制程技術(shù)的開(kāi)發(fā)。2016年臺積電資本支出約70%用于先進(jìn)制程的開(kāi)發(fā)，其中大部分用在10奈米制程技術(shù)，可見(jiàn)臺積電對10奈米制程研發(fā)的重視。

　　臺積電資本支出的10%則將持續投入InFO技術(shù)的開(kāi)發(fā);InFO技術(shù)有散熱佳、厚度和面積縮小、成品穩定度高的優(yōu)勢，已有少數大客戶(hù)開(kāi)始投單，預期未來(lái)將有更多客戶(hù)陸續投入。為了就近服務(wù)廣大的中國市場(chǎng)，臺積電規劃30億美元用于中國南京12寸廠(chǎng)的建置，預期在2018年投產(chǎn)。今年南京廠(chǎng)計畫(huà)先投入5億美元，2017與2018年將增加投資力道。

　　三大半導體廠(chǎng)資本支出

　　三星2016年以半導體事業(yè)為重心

　　智慧型手機是三星最重要的業(yè)務(wù)，在終端市場(chǎng)需求趨緩、手機差異化縮小的情況下，三星受到蘋(píng)果(Apple)與中國品牌的激烈競爭。根據三星財報顯示，2015年營(yíng)收年衰退2.6%，凈利下滑20.6%。相較智慧型手機，去年三星半導體營(yíng)收年成長(cháng)20%、記憶體年成長(cháng)17%，LSI業(yè)務(wù)年成長(cháng)則約27.7%，表現十分亮眼。

　　拓墣指出，2016年三星的智慧型手機業(yè)務(wù)拓展仍不樂(lè )觀(guān)，除加速開(kāi)發(fā)創(chuàng )新業(yè)務(wù)，將更加重視晶圓代工業(yè)務(wù)，采取積極搶單的策略。2016年三星115億美元的資本支出中，LSI業(yè)務(wù)會(huì )維持與2015年35億美元的相同水準。

　　英特爾擴展記憶體相關(guān)業(yè)務(wù)

　　英特爾雖然在14/16奈米制程技術(shù)開(kāi)發(fā)上領(lǐng)先，但臺積電與三星若在10奈米的技術(shù)上趕超，將使英特爾在CPU產(chǎn)品上面臨強大的競爭壓力，嚴重挑戰英特爾自1995年來(lái)的領(lǐng)先地位。2016年英特爾將持續擴大資本支出以維持制程領(lǐng)先，相關(guān)資本支出約達80億美元。

　　在資料中心的競爭中，2015年英特爾與美光(Micron)聯(lián)合發(fā)表包含3D-NAND與Xpoint等用于記憶體的技術(shù)，此外更宣布投資25億美元把大連廠(chǎng)打造成記憶體制造廠(chǎng)。估計2016年英特爾的資本支出中約有15億美元將投資在記憶體相關(guān)業(yè)務(wù)。